Биполярные транзисторы - Elcomps.com
Всего найдено 18470 компонентов
ИзображениеИмяICIC-iUCBOUCEOPCPC-ihFEUCE-satICB-RICE-rRfh21tCNFСтруктураUCBO-iPC-HSUCEO-iUBE-satCCCEIfrcМонтажКорпусПроизводитель
  
От
До
От
До
<25 мА
<25 мА
 
 
 
 
<25 В
<25 В
<500 мВт
<500 мВт
 
 
>38Ic, Vce = 7mA, 10V
>38Ic, Vce = 7mA, 10V
 
 
 
 
 
 
<550 МГц
<550 МГц
 
 
 
 
NPN
NPN
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
В отверстия
В отверстия
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
<100 мА
 
 
<300 В
<5 Вт
 
>25Ic, Vce = 30mA, 10V
<1 ВIb, Ic = 6mA, 30mA
 
 
<90 МГц
 
 
NPN
 
 
 
 
 
 
 
В отверстия
TO-39-3, TO-205AD, Металлическая банка
STMicroelectronics
<100 мА
<100 мА
 
 
 
 
<15 В
<15 В
<500 мВт
<500 мВт
 
 
>40Ic, Vce = 10mA, 1V
>40Ic, Vce = 10mA, 1V
 
 
 
 
 
 
<500 МГц
<500 МГц
 
 
 
 
NPN
NPN
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
В отверстия
В отверстия
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
<500 мА
<500 мА
<500 мА
 
 
 
 
 
 
<300 В
<300 В
<300 В
<625 мВт
<625 мВт
<625 мВт
 
 
 
>25Ic, Vce = 1mA, 10V
>25Ic, Vce = 1mA, 10V
>25Ic, Vce = 1mA, 10V
<2 ВIb, Ic = 2mA, 20mA
<2 ВIb, Ic = 2mA, 20mA
<2 ВIb, Ic = 2mA, 20mA
 
 
 
 
 
 
<50 МГц
<50 МГц
<50 МГц
 
 
 
 
 
 
NPN
NPN
NPN
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
В отверстия
В отверстия
В отверстия
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
 
<500 мА
<50 мА
 
 
 
 
 
 
<300 В
<300 В
<300 В
<830 мВт
<830 мВт
<830 мВт
 
 
 
>50Ic, Vce = 25mA, 20V
>50Ic, Vce = 25mA, 20V
>50Ic, Vce = 25mA, 20V
 
<600 мВIb, Ic = 5mA, 30mA
<600 мВIb, Ic = 5mA, 30mA
 
 
 
 
 
 
<60 МГц
<60 МГц
<60 МГц
 
 
 
 
 
 
NPN
NPN
NPN
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
В отверстия
В отверстия
В отверстия
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
 
STMicroelectronics
NXP Semiconductors
 
<500 мА
<50 мА
 
 
 
 
 
 
<300 В
<300 В
<300 В
<830 мВт
<830 мВт
<830 мВт
 
 
 
>50Ic, Vce = 25mA, 20V
>50Ic, Vce = 25mA, 20V
>50Ic, Vce = 25mA, 20V
 
<600 мВIb, Ic = 5mA, 30mA
<600 мВIb, Ic = 5mA, 30mA
 
 
 
 
 
 
<60 МГц
<60 МГц
<60 МГц
 
 
 
 
 
 
PNP
PNP
PNP
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
В отверстия
В отверстия
В отверстия
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
 
STMicroelectronics
NXP Semiconductors
<50 мА
<50 мА
<50 мА
 
 
 
 
 
 
<250 В
<250 В
<250 В
<830 мВт
<830 мВт
<830 мВт
 
 
 
>50Ic, Vce = 25mA, 20V
>50Ic, Vce = 25mA, 20V
>50Ic, Vce = 25mA, 20V
<500 мВIb, Ic = 2mA, 20mA
<600 мВIb, Ic = 5mA, 30mA
<500 мВIb, Ic = 2mA, 20mA
 
 
 
 
 
 
<60 МГц
<60 МГц
<60 МГц
 
 
 
 
 
 
NPN
NPN
NPN
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
В отверстия
В отверстия
В отверстия
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
<50 мА
<50 мА
<50 мА
 
 
 
 
 
 
<250 В
<250 В
<250 В
<830 мВт
<830 мВт
<830 мВт
 
 
 
>50Ic, Vce = 25mA, 20V
>50Ic, Vce = 25mA, 20V
>50Ic, Vce = 25mA, 20V
<500 мВIb, Ic = 2mA, 20mA
<600 мВIb, Ic = 5mA, 30mA
<600 мВIb, Ic = 5mA, 30mA
 
 
 
 
 
 
<60 МГц
<60 МГц
<60 МГц
 
 
 
 
 
 
PNP
PNP
PNP
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
В отверстия
В отверстия
В отверстия
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
ON Semiconductor
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
<500 мА
<500 мА
<500 мА
 
 
 
 
 
 
<350 В
<350 В
<350 В
<625 мВт
<625 мВт
<625 мВт
 
 
 
>25Ic, Vce = 1mA, 10V
>25Ic, Vce = 1mA, 10V
>25Ic, Vce = 1mA, 10V
<2 ВIb, Ic = 2mA, 20mA
<2 ВIb, Ic = 2mA, 20mA
<2 ВIb, Ic = 2mA, 20mA
 
 
 
 
 
 
<50 МГц
<50 МГц
<50 МГц
 
 
 
 
 
 
PNP
PNP
PNP
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<10 нА
<10 нА
<10 нА
В отверстия
В отверстия
В отверстия
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
<25 мА
<25 мА
 
 
 
 
<15 В
<15 В
<280 мВт
<280 мВт
 
 
>40Ic, Vce = 2mA, 1V
>40Ic, Vce = 2mA, 1V
<400 мВIb, Ic = 1mA, 10mA
<400 мВIb, Ic = 1mA, 10mA
 
 
 
 
<1.4 ГГц
<1.4 ГГц
 
 
 
 
NPN
NPN
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Поверхностный
Поверхностный
SOT-23
SOT-23
Infineon Technologies
Infineon Technologies