На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | BF517E6327 | |
|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SOT-23 |
Производитель | Производитель | Infineon Technologies |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный |
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <25 мА |
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <15 В |
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <280 мВт |
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >40Ic, Vce = 2mA, 1V |
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <400 мВIb, Ic = 1mA, 10mA |
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | <1.4 ГГц |
Структура биполярного транзистора | Структура | NPN |