На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | BF421,112 | BF421-AP | BF421ZL1 | BF421ZL1G | |
|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | |||
Производитель | Производитель | NXP Semiconductors | STMicroelectronics | ON Semiconductor | ON Semiconductor |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия | |||
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <50 мА | <500 мА | <50 мА | <50 мА |
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <300 В | |||
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <830 мВт | |||
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >50Ic, Vce = 25mA, 20V | |||
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <600 мВIb, Ic = 5mA, 30mA | <600 мВIb, Ic = 5mA, 30mA | <500 мВIb, Ic = 2mA, 20mA | <500 мВIb, Ic = 2mA, 20mA |
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | <60 МГц | |||
Структура биполярного транзистора | Структура | PNP | |||