BF423,116

BF423, BF423,112, BF423,116, BF423G, BF423ZL1, BF423ZL1G

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрBF423,112BF423,116BF423GBF423ZL1BF423ZL1G
Корпус микросхемы
Корпус
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Производитель
Производитель
NXP SemiconductorsNXP SemiconductorsON SemiconductorON SemiconductorON Semiconductor
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
В отверстия
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<50 мА
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера
UCEO
<250 В
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора
PC
<830 мВт
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора
hFE
>50Ic, Vce = 25mA, 20V
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора
UCE-sat
<600 мВIb, Ic = 5mA, 30mA<600 мВIb, Ic = 5mA, 30mA<500 мВIb, Ic = 2mA, 20mA<500 мВIb, Ic = 2mA, 20mA<500 мВIb, Ic = 2mA, 20mA
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора
fh21
<60 МГц
Структура биполярного транзистора
Структура
PNP