На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | BF422,116 | BF422G | BF422RL1G | BF422ZL1 | BF422ZL1G | |
|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | ||||
Производитель | Производитель | NXP Semiconductors | ||||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия | ||||
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <50 мА | ||||
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <250 В | ||||
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <830 мВт | ||||
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >50Ic, Vce = 25mA, 20V | ||||
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <600 мВIb, Ic = 5mA, 30mA | <500 мВIb, Ic = 2mA, 20mA | <500 мВIb, Ic = 2mA, 20mA | <500 мВIb, Ic = 2mA, 20mA | <500 мВIb, Ic = 2mA, 20mA |
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | <60 МГц | ||||
Структура биполярного транзистора | Структура | NPN | ||||