MOSFET - Elcomps.com
Всего найдено 22554 компонентов
ИзображениеИмяСерияQGFET FeatureNFPS1-S2/II01-I02IGC11C12C22U0UGDUGSUDSSIDSSPHSТехнологияКаналRDS-ONIDSS-IМонтажКорпусПроизводитель
  
От
До
От
До
От
До
От
До
От
До
От
До
От
До
От
До
От
До
От
До
От
До
От
До
От
До
От
До
От
До
От
До
От
До
BS107
BS107AG
BS107ARL1
▾
 
 
 
 
 
 
 
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
 
 
<350 мВт
<350 мВт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
60 пФVds = 25V
60 пФVds = 25V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<200 В
<200 В
<200 В
 
<250 мА
<250 мА
 
 
 
 
 
 
N-ch
N-ch
N-ch
 
<6.4 ОмId, Vgs = 250mA, 10V
<6.4 ОмId, Vgs = 250mA, 10V
 
 
 
В отверстия
В отверстия
В отверстия
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
 
ON Semiconductor
ON Semiconductor
BS108
BS108,126
BS108/01,126
▾
 
 
 
 
 
 
 
Standard
Standard
 
 
 
 
<1 Вт
<1 Вт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
120 пФVds = 25V
120 пФVds = 25V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<200 В
<200 В
<200 В
 
<300 мА
<300 мА
 
 
 
 
 
 
N-ch
N-ch
N-ch
 
<5 ОмId, Vgs = 100mA, 2.8V
<5 ОмId, Vgs = 100mA, 2.8V
 
 
 
В отверстия
В отверстия
В отверстия
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
 
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
BS170
BS170_D26Z
BS170_D27Z
▾
 
 
 
 
 
 
Standard
Standard
Standard
 
 
 
<350 мВт
<830 мВт
<830 мВт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
60 пФVds = 10V
40 пФVds = 10V
40 пФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<60 В
<60 В
<60 В
<500 мА
<500 мА
<500 мА
 
 
 
 
 
 
N-ch
N-ch
N-ch
<5 ОмId, Vgs = 200mA, 10V
<5 ОмId, Vgs = 200mA, 10V
<5 ОмId, Vgs = 200mA, 10V
 
 
 
В отверстия
В отверстия
В отверстия
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
TO-92-3 (Standard Body), TO-226, TO-92-3 (Standard Body), TO-226
TO-92-3 (Standard Body), TO-226, TO-92-3 (Standard Body), TO-226
ON Semiconductor
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
BS250
BS250FTA
BS250FTC
▾
 
 
 
 
 
 
 
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
 
 
<330 мВт
<330 мВт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
25 пФVds = 10V
25 пФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<45 В
<45 В
 
<90 мА
<90 мА
 
 
 
 
 
 
P-ch
P-ch
P-ch
 
<14 ОмId, Vgs = 200mA, 10V
<14 ОмId, Vgs = 200mA, 10V
 
 
 
 
Поверхностный
Поверхностный
 
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
 
Diodes/Zetex
Diodes/Zetex
BS270
BS270_D74Z
 
 
 
 
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<625 мВт
<625 мВт
 
 
 
 
 
 
50 пФVds = 25V
50 пФVds = 25V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<60 В
<60 В
<400 мА
<400 мА
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<2 ОмId, Vgs = 500mA, 10V
<2 ОмId, Vgs = 500mA, 10V
 
 
В отверстия
В отверстия
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
BS7067
BS7067N06LS3G
OptiMOS™
OptiMOS™
62 нCVgs = 10V
62 нCVgs = 10V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<78 Вт
<78 Вт
 
 
 
 
 
 
4.8 нФVds = 30V
4.8 нФVds = 30V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<60 В
<60 В
<20 А
<20 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<6.7 мОмId, Vgs = 20A, 10V
<6.7 мОмId, Vgs = 20A, 10V
 
 
Поверхностный
Поверхностный
8-TSDSON
8-TSDSON
Infineon Technologies
Infineon Technologies
BS870
BS870-7
BS870-7-F
 
 
 
 
 
 
Standard
Standard
Standard
 
 
 
<300 мВт
<300 мВт
<300 мВт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
50 пФVds = 10V
50 пФVds = 10V
50 пФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<60 В
<60 В
<60 В
<250 мА
<250 мА
<250 мА
 
 
 
 
 
 
N-ch
N-ch
N-ch
<5 ОмId, Vgs = 200mA, 10V
<5 ОмId, Vgs = 200mA, 10V
<5 ОмId, Vgs = 200mA, 10V
 
 
 
Поверхностный
Поверхностный
Поверхностный
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
Diodes Inc
Diodes Inc
Diodes Inc
BSA223
BSA223SP
OptiMOS™
OptiMOS™
620 пCVgs = 4.5V
620 пCVgs = 4.5V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<250 мВт
<250 мВт
 
 
 
 
 
 
56 пФVds = 15V
56 пФVds = 15V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<20 В
<20 В
<390 мА
<390 мА
 
 
 
 
P-ch
P-ch
<1.2 ОмId, Vgs = 390mA, 4.5V
<1.2 ОмId, Vgs = 390mA, 4.5V
 
 
Поверхностный
Поверхностный
SC-75
SC-75
Infineon Technologies
Infineon Technologies
BSC014
BSC014N03LSG
BSC014N03MSG
OptiMOS™
OptiMOS™
OptiMOS™
 
131 нCVgs = 10V
173 нCVgs = 10V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
 
<139 Вт
<139 Вт
<139 Вт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
10 нФVds = 15V
13 нФVds = 15V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<30 В
<100 А
<100 А
<100 А
 
 
 
 
 
 
N-ch
N-ch
N-ch
<1.4 мОмId, Vgs = 30A, 10V
<1.4 мОмId, Vgs = 30A, 10V
<1.4 мОмId, Vgs = 30A, 10V
 
 
 
Поверхностный
Поверхностный
Поверхностный
TDSON-8
TDSON-8
TDSON-8
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
BSC016
BSC016N03MSG
BSC016N04LSG
OptiMOS™
OptiMOS™
OptiMOS™
 
173 нCVgs = 10V
150 нCVgs = 10V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
 
 
<125 Вт
<139 Вт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
13 нФVds = 15V
12 нФVds = 20V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<40 В
<100 А
<100 А
<100 А
 
 
 
 
 
 
N-ch
N-ch
N-ch
 
<1.6 мОмId, Vgs = 30A, 10V
<1.6 мОмId, Vgs = 50A, 10V
 
 
 
Поверхностный
Поверхностный
Поверхностный
TDSON-8
TDSON-8
TDSON-8
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies