BS107ARL1

BS107, BS107AG, BS107ARL1, BS107ARL1G, BS107G, BS107P, BS107PSTOA, BS107PSTOB, BS107PSTZ

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрBS107AGBS107ARL1BS107ARL1GBS107GBS107PBS107PSTOABS107PSTOBBS107PSTZ
Корпус микросхемы
Корпус
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Производитель
Производитель
ON SemiconductorON SemiconductorON SemiconductorON SemiconductorDiodes/ZetexDiodes/ZetexDiodes/ZetexDiodes/Zetex
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
В отверстия
Мощность
P
<350 мВт<350 мВт<350 мВт<350 мВт<500 мВт<500 мВт<500 мВт<500 мВт
Входная емкость полевого транзистора
C11
60 пФVds = 25V60 пФVds = 25V60 пФVds = 25V60 пФVds = 25V(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<200 В
Постоянный ток стока
IDSS
<250 мА<250 мА<250 мА<250 мА<120 мА<120 мА<120 мА<120 мА
Тип канала полевого транзистора
Канал
N-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<6.4 ОмId, Vgs = 250mA, 10V<6.4 ОмId, Vgs = 250mA, 10V<6.4 ОмId, Vgs = 250mA, 10V<14 ОмId, Vgs = 200mA, 10V<30 ОмId, Vgs = 100mA, 5V<30 ОмId, Vgs = 100mA, 5V<30 ОмId, Vgs = 100mA, 5V<30 ОмId, Vgs = 100mA, 5V
FET Feature
FET Feature
Logic Level GateLogic Level GateLogic Level GateLogic Level GateStandardStandardStandardStandard