BS250FTA

BS250, BS250FTA, BS250FTC, BS250KL-TR1-E3, BS250P, BS250PSTOA, BS250PSTOB, BS250PSTZ

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

Параметр		BS250FTA	BS250FTC	BS250KL-TR1-E3	BS250P	BS250PSTOA	BS250PSTOB	BS250PSTZ
Корпус микросхемы	Корпус	SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3	SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3	TO-18-3, TO-92-18RM	TO-92-3 (Standard Body), TO-226	TO-92-3 (Standard Body), TO-226	TO-92-3 (Standard Body), TO-226	TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Производитель	Производитель	Diodes/Zetex	Diodes/Zetex	Vishay/Siliconix	Diodes/Zetex	Diodes/Zetex	Diodes/Zetex	Diodes/Zetex
Тип монтажа компонента на плату или в схему	Монтаж	Поверхностный	Поверхностный	В отверстия	В отверстия	В отверстия	В отверстия	В отверстия
Мощность	P	<330 мВт	<330 мВт	<800 мВт	<700 мВт	<700 мВт	<700 мВт	<700 мВт
Входная емкость полевого транзистора	C₁₁	25 пФVds = 10V	25 пФVds = 10V	(не задано)	60 пФVds = 10V	60 пФVds = 10V	60 пФVds = 10V	60 пФVds = 10V
Постоянное напряжение между стоком и истоком	U_DSS	<45 В	<45 В	<60 В	<45 В	<45 В	<45 В	<45 В
Постоянный ток стока	I_DSS	<90 мА	<90 мА	<270 мА	<230 мА	<230 мА	<230 мА	<230 мА
Тип канала полевого транзистора	Канал	P-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии	R_DS-ON	<14 ОмId, Vgs = 200mA, 10V	<14 ОмId, Vgs = 200mA, 10V	<6 ОмId, Vgs = 500mA, 10V	<14 ОмId, Vgs = 200mA, 10V	<14 ОмId, Vgs = 200mA, 10V	<14 ОмId, Vgs = 200mA, 10V	<14 ОмId, Vgs = 200mA, 10V
Серия MOSFET	Серия	(не задано)	(не задано)	TrenchFET®	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)
Заряд затвора	Q_G	(не задано)	(не задано)	3 нCVgs = 15V	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)
FET Feature	FET Feature	Logic Level Gate	Logic Level Gate	Standard	Standard	Standard	Standard	Standard