BS250

BS250, BS250FTA, BS250FTC, BS250KL-TR1-E3, BS250P, BS250PSTOA, BS250PSTOB, BS250PSTZ

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрBS250FTABS250FTCBS250KL-TR1-E3BS250PBS250PSTOABS250PSTOBBS250PSTZ
Корпус микросхемы
Корпус
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3TO-18-3, TO-92-18RMTO-92-3 (Standard Body), TO-226TO-92-3 (Standard Body), TO-226TO-92-3 (Standard Body), TO-226TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Производитель
Производитель
Diodes/ZetexDiodes/ZetexVishay/SiliconixDiodes/ZetexDiodes/ZetexDiodes/ZetexDiodes/Zetex
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
ПоверхностныйПоверхностныйВ отверстияВ отверстияВ отверстияВ отверстияВ отверстия
Мощность
P
<330 мВт<330 мВт<800 мВт<700 мВт<700 мВт<700 мВт<700 мВт
Входная емкость полевого транзистора
C11
25 пФVds = 10V25 пФVds = 10V(не задано)60 пФVds = 10V60 пФVds = 10V60 пФVds = 10V60 пФVds = 10V
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<45 В<45 В<60 В<45 В<45 В<45 В<45 В
Постоянный ток стока
IDSS
<90 мА<90 мА<270 мА<230 мА<230 мА<230 мА<230 мА
Тип канала полевого транзистора
Канал
P-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<14 ОмId, Vgs = 200mA, 10V<14 ОмId, Vgs = 200mA, 10V<6 ОмId, Vgs = 500mA, 10V<14 ОмId, Vgs = 200mA, 10V<14 ОмId, Vgs = 200mA, 10V<14 ОмId, Vgs = 200mA, 10V<14 ОмId, Vgs = 200mA, 10V
Серия MOSFET
Серия
(не задано)(не задано)TrenchFET®(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)
Заряд затвора
QG
(не задано)(не задано)3 нCVgs = 15V(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)
FET Feature
FET Feature
Logic Level GateLogic Level GateStandardStandardStandardStandardStandard