На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | BS108/01,126 | BS108,126 | BS108G | BS108ZL1G | |
|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | |||
Производитель | Производитель | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors | ON Semiconductor | ON Semiconductor |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия | |||
Мощность | P | <1 Вт | <1 Вт | <350 мВт | <350 мВт |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 120 пФVds = 25V | 120 пФVds = 25V | 150 пФVds = 25V | 150 пФVds = 25V |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <200 В | |||
Постоянный ток стока | IDSS | <300 мА | <300 мА | <250 мА | <250 мА |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | |||
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <5 ОмId, Vgs = 100mA, 2.8V | <5 ОмId, Vgs = 100mA, 2.8V | <8 ОмId, Vgs = 100mA, 2.8V | <8 ОмId, Vgs = 100mA, 2.8V |
FET Feature | FET Feature | Standard | Standard | Logic Level Gate | Logic Level Gate |