MOSFET - Elcomps.com
Всього знайдено 22554 компонентів
ЗображенняІм'яСеріяQGFET FeatureNFPS1-S2/II01-I02IGC11C12C22U0UGDUGSUDSSIDSSPHSТехнологіяКаналRDS-ONIDSS-IМонтажКорпусВиробник
  
Від
До
HEXFET®
HEXFET®
HEXFET®
35 нCVgs = 10V
35 нCVgs = 10V
35 нCVgs = 10V
Standard
Standard
Standard
 
 
 
<144 Вт
<144 Вт
<144 Вт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
810 пФVds = 25V
810 пФVds = 25V
810 пФVds = 25V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<250 В
<250 В
<250 В
<14 А
<14 А
<14 А
 
 
 
 
 
 
N-ch
N-ch
N-ch
<260 мОмId, Vgs = 8.4A, 10V
<260 мОмId, Vgs = 8.4A, 10V
<260 мОмId, Vgs = 8.4A, 10V
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
International Rectifier
International Rectifier
International Rectifier
 
 
36 нCVgs = 10V
36 нCVgs = 10V
Standard
Standard
 
 
<2.5 Вт
<2.5 Вт
 
 
 
 
 
 
790 пФVds = 25V
790 пФVds = 25V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<100 В
<100 В
<13 А
<13 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<110 мОмId, Vgs = 6.5A, 10V
<110 мОмId, Vgs = 6.5A, 10V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
HEXFET®
HEXFET®
HEXFET®
29 нCVgs = 10V
29 нCVgs = 10V
29 нCVgs = 10V
Standard
Standard
Standard
 
 
 
<86 Вт
<86 Вт
<86 Вт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
620 пФVds = 25V
620 пФVds = 25V
620 пФVds = 25V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<150 В
<150 В
<150 В
<14 А
<14 А
<14 А
 
 
 
 
 
 
N-ch
N-ch
N-ch
<180 мОмId, Vgs = 8.3A, 10V
<180 мОмId, Vgs = 8.3A, 10V
<180 мОмId, Vgs = 8.3A, 10V
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
International Rectifier
International Rectifier
International Rectifier
HEXFET®
HEXFET®
HEXFET®
38 нCVgs = 10V
38 нCVgs = 10V
38 нCVgs = 10V
Standard
Standard
Standard
 
 
 
<110 Вт
<110 Вт
<110 Вт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
830 пФVds = 25V
830 пФVds = 25V
830 пФVds = 25V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<200 В
<200 В
<200 В
<13 А
<13 А
<13 А
 
 
 
 
 
 
N-ch
N-ch
N-ch
<235 мОмId, Vgs = 8A, 10V
<235 мОмId, Vgs = 8A, 10V
<235 мОмId, Vgs = 8A, 10V
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
International Rectifier
International Rectifier
International Rectifier
HEXFET®
HEXFET®
HEXFET®
41 нCVgs = 10V
41 нCVgs = 10V
41 нCVgs = 10V
Standard
Standard
Standard
 
 
 
<3 Вт
<3 Вт
<3 Вт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
910 пФVds = 25V
910 пФVds = 25V
910 пФVds = 25V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<200 В
<200 В
<200 В
<17 А
<17 А
<17 А
 
 
 
 
 
 
N-ch
N-ch
N-ch
<165 мОмId, Vgs = 10A, 10V
<165 мОмId, Vgs = 10A, 10V
<165 мОмId, Vgs = 10A, 10V
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
International Rectifier
International Rectifier
International Rectifier
HEXFET®
HEXFET®
HEXFET®
43 нCVgs = 10V
43 нCVgs = 10V
43 нCVgs = 10V
Standard
Standard
Standard
 
 
 
<110 Вт
<110 Вт
<110 Вт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
900 пФVds = 25V
900 пФVds = 25V
900 пФVds = 25V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<150 В
<150 В
<150 В
<18 А
<18 А
<18 А
 
 
 
 
 
 
N-ch
N-ch
N-ch
<125 мОмId, Vgs = 11A, 10V
<125 мОмId, Vgs = 11A, 10V
<125 мОмId, Vgs = 11A, 10V
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
International Rectifier
International Rectifier
International Rectifier
 
 
 
14 нCVgs = 10V
14 нCVgs = 10V
14 нCVgs = 10V
Standard
Standard
Standard
 
 
 
<36 Вт
<36 Вт
<36 Вт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
229 пФVds = 25V
229 пФVds = 25V
229 пФVds = 25V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<600 В
<600 В
<600 В
<1.4 А
<1.4 А
<1.4 А
 
 
 
 
 
 
N-ch
N-ch
N-ch
<7 ОмId, Vgs = 840mA, 10V
<7 ОмId, Vgs = 840mA, 10V
<7 ОмId, Vgs = 840mA, 10V
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
Vishay/Siliconix
Vishay/Siliconix
Vishay/Siliconix
 
 
 
8.2 нCVgs = 10V
9.3 нCVgs = 10V
8.2 нCVgs = 10V
Standard
Standard
Standard
 
 
 
<2.5 Вт
<2.5 Вт
<2.5 Вт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
140 пФVds = 25V
225 пФVds = 25V
140 пФVds = 25V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<200 В
<200 В
<200 В
<2.6 А
<2.7 А
<2.6 А
 
 
 
 
 
 
N-ch
N-ch
N-ch
<1.5 ОмId, Vgs = 1.35A, 10V
<1.5 ОмId, Vgs = 1.35A, 10V
<1.5 ОмId, Vgs = 1.35A, 10V
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
 
 
 
8.2 нCVgs = 10V
8.2 нCVgs = 10V
8.2 нCVgs = 10V
Standard
Standard
Standard
 
 
 
<2.5 Вт
<2.5 Вт
<2.5 Вт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
140 пФVds = 25V
140 пФVds = 25V
140 пФVds = 25V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<250 В
<250 В
<250 В
<2.2 А
<2.2 А
<2.2 А
 
 
 
 
 
 
N-ch
N-ch
N-ch
<2 ОмId, Vgs = 1.3A, 10V
<2 ОмId, Vgs = 1.3A, 10V
<2 ОмId, Vgs = 1.3A, 10V
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
Vishay/Siliconix
Vishay/Siliconix
Vishay/Siliconix
 
TrenchMOS™
 
14 нCVgs = 10V
14 нCVgs = 10V
16 нCVgs = 10V
Standard
Standard
Standard
 
 
 
<2.5 Вт
<42 Вт
<2.5 Вт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
260 пФVds = 25V
280 пФVds = 25V
390 пФVds = 25V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<200 В
<200 В
<200 В
<4.8 А
<4.8 А
<4.6 А
 
 
 
 
 
 
N-ch
N-ch
N-ch
<800 мОмId, Vgs = 2.9A, 10V
<800 мОмId, Vgs = 2.9A, 10V
<800 мОмId, Vgs = 2.3A, 10V
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
Vishay/Siliconix
NXP Semiconductors
Fairchild Semiconductor