На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | IRFR18N15D | IRFR18N15DPBF | IRFR18N15DTR | IRFR18N15DTRL | IRFR18N15DTRLP | IRFR18N15DTRPBF | IRFR18N15DTRR | IRFR18N15DTRRP | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 | |||||||
Виробник | Виробник | International Rectifier | |||||||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |||||||
Потужність | P | <110 Вт | |||||||
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 900 пФVds = 25V | |||||||
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <150 В | |||||||
Постійний струм стоку | IDSS | <18 А | |||||||
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | |||||||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <125 мОмId, Vgs = 11A, 10V | |||||||
Серія MOSFET | Серія | HEXFET® | |||||||
Заряд затвору | QG | 43 нCVgs = 10V | |||||||
FET Feature | FET Feature | Standard | |||||||