IRFR220

IRFR220, IRFR220,118, IRFR220BTM_FP001, IRFR220N, IRFR220NCPBF, IRFR220NPBF, IRFR220NTR, IRFR220NTRL, IRFR220NTRLPBF, IRFR220NTRPBF, IRFR220NTRR, IRFR220NTRRPBF, IRFR220PBF, IRFR220TR, IRFR220TRL, IRFR220TRPBF, IRFR220TRR, IRFR220TRRPBF

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

Параметр		IRFR220,118	IRFR220BTM_FP001	IRFR220N	IRFR220NCPBF	IRFR220NPBF	IRFR220NTR	IRFR220NTRL	IRFR220NTRLPBF	IRFR220NTRPBF	IRFR220NTRR	IRFR220NTRRPBF	IRFR220PBF	IRFR220TR	IRFR220TRL	IRFR220TRPBF	IRFR220TRR	IRFR220TRRPBF
Корпус мікросхеми	Корпус	DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
Виробник	Виробник	NXP Semiconductors	Fairchild Semiconductor	International Rectifier	International Rectifier	International Rectifier	International Rectifier	International Rectifier	International Rectifier	International Rectifier	International Rectifier	International Rectifier	Vishay/Siliconix	Vishay/Siliconix	Vishay/Siliconix	Vishay/Siliconix	Vishay/Siliconix	Vishay/Siliconix
Тип монтажу компонента на плату чи в схему	Монтаж	Поверхневий
Потужність	P	<42 Вт	<2.5 Вт	<43 Вт	<43 Вт	<43 Вт	<43 Вт	<43 Вт	<43 Вт	<43 Вт	<43 Вт	<43 Вт	<2.5 Вт	<2.5 Вт	<2.5 Вт	<2.5 Вт	<2.5 Вт	<2.5 Вт
Вхідна ємність польового транзистора	C₁₁	280 пФVds = 25V	390 пФVds = 25V	300 пФVds = 25V	300 пФVds = 25V	300 пФVds = 25V	300 пФVds = 25V	300 пФVds = 25V	300 пФVds = 25V	300 пФVds = 25V	300 пФVds = 25V	300 пФVds = 25V	260 пФVds = 25V	260 пФVds = 25V	260 пФVds = 25V	260 пФVds = 25V	260 пФVds = 25V	260 пФVds = 25V
Постійна напруга між стоком та витоком	U_DSS	<200 В
Постійний струм стоку	I_DSS	<4.8 А	<4.6 А	<5 А	<5 А	<5 А	<5 А	<5 А	<5 А	<5 А	<5 А	<5 А	<4.8 А	<4.8 А	<4.8 А	<4.8 А	<4.8 А	<4.8 А
Тип каналу польового транзистора	Канал	N-ch
Опір каналу у відкритому стані	R_DS-ON	<800 мОмId, Vgs = 2.9A, 10V	<800 мОмId, Vgs = 2.3A, 10V	<600 мОмId, Vgs = 2.9A, 10V	<600 мОмId, Vgs = 2.9A, 10V	<600 мОмId, Vgs = 2.9A, 10V	<600 мОмId, Vgs = 2.9A, 10V	<600 мОмId, Vgs = 2.9A, 10V	<600 мОмId, Vgs = 2.9A, 10V	<600 мОмId, Vgs = 2.9A, 10V	<600 мОмId, Vgs = 2.9A, 10V	<600 мОмId, Vgs = 2.9A, 10V	<800 мОмId, Vgs = 2.9A, 10V	<800 мОмId, Vgs = 2.9A, 10V	<800 мОмId, Vgs = 2.9A, 10V	<800 мОмId, Vgs = 2.9A, 10V	<800 мОмId, Vgs = 2.9A, 10V	<800 мОмId, Vgs = 2.9A, 10V
Серія MOSFET	Серія	TrenchMOS™	(не задано)	HEXFET®	HEXFET®	HEXFET®	HEXFET®	HEXFET®	HEXFET®	HEXFET®	HEXFET®	HEXFET®	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)
Заряд затвору	Q_G	14 нCVgs = 10V	16 нCVgs = 10V	23 нCVgs = 10V	23 нCVgs = 10V	23 нCVgs = 10V	23 нCVgs = 10V	23 нCVgs = 10V	23 нCVgs = 10V	23 нCVgs = 10V	23 нCVgs = 10V	23 нCVgs = 10V	14 нCVgs = 10V	14 нCVgs = 10V	14 нCVgs = 10V	14 нCVgs = 10V	14 нCVgs = 10V	14 нCVgs = 10V
FET Feature	FET Feature	Standard