На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | IRFR210BTM_FP001 | IRFR210PBF | IRFR210TR | IRFR210TRL | IRFR210TRPBF | IRFR210TRR | IRFR210TRRPBF | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 | ||||||
Виробник | Виробник | Fairchild Semiconductor | ||||||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | ||||||
Потужність | P | <2.5 Вт | ||||||
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 225 пФVds = 25V | 140 пФVds = 25V | 140 пФVds = 25V | 140 пФVds = 25V | 140 пФVds = 25V | 140 пФVds = 25V | 140 пФVds = 25V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <200 В | ||||||
Постійний струм стоку | IDSS | <2.7 А | <2.6 А | <2.6 А | <2.6 А | <2.6 А | <2.6 А | <2.6 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | ||||||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <1.5 ОмId, Vgs = 1.35A, 10V | ||||||
Заряд затвору | QG | 9.3 нCVgs = 10V | 8.2 нCVgs = 10V | 8.2 нCVgs = 10V | 8.2 нCVgs = 10V | 8.2 нCVgs = 10V | 8.2 нCVgs = 10V | 8.2 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard | ||||||