На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | IRFR13N20D | IRFR13N20DCPBF | IRFR13N20DCTRLP | IRFR13N20DCTRRP | IRFR13N20DPBF | IRFR13N20DTR | IRFR13N20DTRL | IRFR13N20DTRLP | IRFR13N20DTRPBF | IRFR13N20DTRR | IRFR13N20DTRRP | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 | ||||||||||
Виробник | Виробник | International Rectifier | ||||||||||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | ||||||||||
Потужність | P | <110 Вт | ||||||||||
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 830 пФVds = 25V | ||||||||||
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <200 В | ||||||||||
Постійний струм стоку | IDSS | <13 А | ||||||||||
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | ||||||||||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <235 мОмId, Vgs = 8A, 10V | ||||||||||
Серія MOSFET | Серія | HEXFET® | ||||||||||
Заряд затвору | QG | 38 нCVgs = 10V | ||||||||||
FET Feature | FET Feature | Standard | ||||||||||