Збірки MOSFET - Elcomps.com
Всього знайдено 2269 компонентів
ЗображенняІм'яЕлементівIDSS2P2СеріяQGFET FeatureNFPS1-S2/II01-I02IGC11C12C22U0UGDUGSUDSSIDSSPHSТехнологіяКаналRDS-ONIDSS-IМонтажКорпусВиробник
  
Від
До
Від
До
Від
До
Від
До
Від
До
Від
До
Від
До
Від
До
Від
До
Від
До
Від
До
Від
До
Від
До
Від
До
Від
До
Від
До
Від
До
Від
До
Від
До
NTGD3149
NTGD3149CT1G
2
2
<2.4 А
<2.4 А
 
 
 
 
5.5 нCVgs = 4.5V
5.5 нCVgs = 4.5V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<900 мВт
<900 мВт
 
 
 
 
 
 
387 пФVds = 10V
387 пФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<20 В
<20 В
<3.2 А
<3.2 А
 
 
 
 
N and P-Channel
N and P-Channel
<60 мОмId, Vgs = 3.5A, 4.5V
<60 мОмId, Vgs = 3.5A, 4.5V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
6-TSOP
6-TSOP
ON Semiconductor
ON Semiconductor
NTGD4161P
NTGD4161PT1G
2
2
 
 
 
 
 
 
7.1 нCVgs = 10V
7.1 нCVgs = 10V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<600 мВт
<600 мВт
 
 
 
 
 
 
281 пФVds = 15V
281 пФVds = 15V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<1.5 А
<1.5 А
 
 
 
 
2 P-Channel (Dual)
2 P-Channel (Dual)
<160 мОмId, Vgs = 2.1A, 10V
<160 мОмId, Vgs = 2.1A, 10V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
6-TSOP
6-TSOP
ON Semiconductor
ON Semiconductor
NTGD4167
NTGD4167CT1G
2
2
<1.9 А
<1.9 А
 
 
 
 
5.5 нCVgs = 4.5V
5.5 нCVgs = 4.5V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<900 мВт
<900 мВт
 
 
 
 
 
 
295 пФVds = 15V
295 пФVds = 15V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<2.6 А
<2.6 А
 
 
 
 
N and P-Channel
N and P-Channel
<90 мОмId, Vgs = 2.6A, 4.5V
<90 мОмId, Vgs = 2.6A, 4.5V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
6-TSOP
6-TSOP
ON Semiconductor
ON Semiconductor
NTHC5513
NTHC5513T1
NTHC5513T1G
2
2
2
<2.2 А
<2.2 А
<2.2 А
 
 
 
 
 
 
4 нCVgs = 4.5V
4 нCVgs = 4.5V
4 нCVgs = 4.5V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
 
<1.1 Вт
<1.1 Вт
<1.1 Вт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
180 пФVds = 10V
180 пФVds = 10V
180 пФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<20 В
<20 В
<20 В
<2.9 А
<2.9 А
<2.9 А
 
 
 
 
 
 
N and P-Channel
N and P-Channel
N and P-Channel
<80 мОмId, Vgs = 2.9A, 4.5V
<80 мОмId, Vgs = 2.9A, 4.5V
<80 мОмId, Vgs = 2.9A, 4.5V
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
8-ChipFET™
8-ChipFET™
8-ChipFET™
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
NTHD2102P
NTHD2102PT1
NTHD2102PT1G
2
2
2
 
 
 
 
 
 
 
 
 
16 нCVgs = 2.5V
16 нCVgs = 2.5V
16 нCVgs = 2.5V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
 
<1.1 Вт
<1.1 Вт
<1.1 Вт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
715 пФVds = 6.4V
715 пФVds = 6.4V
715 пФVds = 6.4V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<8 В
<8 В
<8 В
<3.4 А
<3.4 А
<3.4 А
 
 
 
 
 
 
2 P-Channel (Dual)
2 P-Channel (Dual)
2 P-Channel (Dual)
<58 мОмId, Vgs = 3.4A, 4.5V
<58 мОмId, Vgs = 3.4A, 4.5V
<58 мОмId, Vgs = 3.4A, 4.5V
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
8-ChipFET™
8-ChipFET™
8-ChipFET™
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
NTHD3100
NTHD3100CT1
NTHD3100CT1G
▾
2
2
2
<3.2 А
<3.2 А
<3.2 А
 
 
 
 
 
 
2.3 нCVgs = 4.5V
2.3 нCVgs = 4.5V
2.3 нCVgs = 4.5V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
 
<1.1 Вт
<1.1 Вт
<1.1 Вт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
165 пФVds = 10V
165 пФVds = 10V
165 пФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<20 В
<20 В
<20 В
<2.9 А
<2.9 А
<2.9 А
 
 
 
 
 
 
N and P-Channel
N and P-Channel
N and P-Channel
<80 мОмId, Vgs = 2.9A, 4.5V
<80 мОмId, Vgs = 2.9A, 4.5V
<80 мОмId, Vgs = 2.9A, 4.5V
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
8-ChipFET™
8-ChipFET™
8-ChipFET™
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
NTHD3102
NTHD3102CT1G
2
2
<3.1 А
<3.1 А
 
 
 
 
7.9 нCVgs = 4.5V
7.9 нCVgs = 4.5V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<1.1 Вт
<1.1 Вт
 
 
 
 
 
 
510 пФVds = 10V
510 пФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<20 В
<20 В
<4 А
<4 А
 
 
 
 
N and P-Channel
N and P-Channel
<45 мОмId, Vgs = 4.4A, 4.5V
<45 мОмId, Vgs = 4.4A, 4.5V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
8-ChipFET™
8-ChipFET™
ON Semiconductor
ON Semiconductor
NTHD4102P
NTHD4102PT1
NTHD4102PT1G
▾
2
2
2
 
 
 
 
 
 
 
 
 
8.6 нCVgs = 4.5V
8.6 нCVgs = 4.5V
8.6 нCVgs = 4.5V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
 
<1.1 Вт
<1.1 Вт
<1.1 Вт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
750 пФVds = 16V
750 пФVds = 16V
750 пФVds = 16V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<20 В
<20 В
<20 В
<2.9 А
<2.9 А
<2.9 А
 
 
 
 
 
 
2 P-Channel (Dual)
2 P-Channel (Dual)
2 P-Channel (Dual)
<80 мОмId, Vgs = 2.9A, 4.5V
<80 мОмId, Vgs = 2.9A, 4.5V
<80 мОмId, Vgs = 2.9A, 4.5V
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
 
8-ChipFET™
8-ChipFET™
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
NTHD4401P
NTHD4401PT1
NTHD4401PT1G
▾
2
2
2
 
 
 
 
 
 
 
 
 
6 нCVgs = 4.5V
6 нCVgs = 4.5V
6 нCVgs = 4.5V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
 
<1.1 Вт
<1.1 Вт
<1.1 Вт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
300 пФVds = 10V
300 пФVds = 10V
300 пФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<20 В
<20 В
<20 В
<2.1 А
<2.1 А
<2.1 А
 
 
 
 
 
 
2 P-Channel (Dual)
2 P-Channel (Dual)
2 P-Channel (Dual)
<155 мОмId, Vgs = 2.1A, 4.5V
<155 мОмId, Vgs = 2.1A, 4.5V
<155 мОмId, Vgs = 2.1A, 4.5V
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
 
8-ChipFET™
8-ChipFET™
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
NTHD4502N
NTHD4502NT1
NTHD4502NT1G
2
2
2
 
 
 
 
 
 
 
 
 
7 нCVgs = 10V
7 нCVgs = 10V
7 нCVgs = 10V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
 
<640 мВт
<640 мВт
<640 мВт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
140 пФVds = 15V
140 пФVds = 15V
140 пФVds = 15V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<30 В
<2.2 А
<2.2 А
<2.2 А
 
 
 
 
 
 
2 N-Channel (Dual)
2 N-Channel (Dual)
2 N-Channel (Dual)
<85 мОмId, Vgs = 2.9A, 10V
<85 мОмId, Vgs = 2.9A, 10V
<85 мОмId, Vgs = 2.9A, 10V
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
8-ChipFET™
8-ChipFET™
8-ChipFET™
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor