На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | NTHD4102PT1 | NTHD4102PT1G | NTHD4102PT3G | |
|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | 8-ChipFET™ | 8-ChipFET™ | ChipFET |
Виробник | Виробник | ON Semiconductor | ||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | ||
Потужність | P | <1.1 Вт | ||
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 750 пФVds = 16V | ||
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <20 В | ||
Постійний струм стоку | IDSS | <2.9 А | ||
Тип каналу польового транзистора | Канал | 2 P-Channel (Dual) | ||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <80 мОмId, Vgs = 2.9A, 4.5V | ||
Заряд затвору | QG | 8.6 нCVgs = 4.5V | ||
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | ||
Кількість однотипних елементів в одному корпусі | Елементів | 2 | ||