На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | NTHD3100CT1 | NTHD3100CT1G | NTHD3100CT3 | NTHD3100CT3G | |
|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | 8-ChipFET™ | |||
Виробник | Виробник | ON Semiconductor | |||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |||
Потужність | P | <1.1 Вт | |||
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 165 пФVds = 10V | |||
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <20 В | |||
Постійний струм стоку | IDSS | <2.9 А | |||
Тип каналу польового транзистора | Канал | N and P-Channel | |||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <80 мОмId, Vgs = 2.9A, 4.5V | |||
Заряд затвору | QG | 2.3 нCVgs = 4.5V | |||
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | |||
Кількість однотипних елементів в одному корпусі | Елементів | 2 | |||
Постійний струм стоку другого транзистора | IDSS2 | <3.2 А | |||