На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | NTHD2102PT1 | NTHD2102PT1G | |
|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | 8-ChipFET™ | |
Виробник | Виробник | ON Semiconductor | |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |
Потужність | P | <1.1 Вт | |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 715 пФVds = 6.4V | |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <8 В | |
Постійний струм стоку | IDSS | <3.4 А | |
Тип каналу польового транзистора | Канал | 2 P-Channel (Dual) | |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <58 мОмId, Vgs = 3.4A, 4.5V | |
Заряд затвору | QG | 16 нCVgs = 2.5V | |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | |
Кількість однотипних елементів в одному корпусі | Елементів | 2 | |