На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | NTHD4401PT1 | NTHD4401PT1G | NTHD4401PT3 | NTHD4401PT3G | |
|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | 8-ChipFET™ | 8-ChipFET™ | ChipFET | 8-ChipFET™ |
Виробник | Виробник | ON Semiconductor | |||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |||
Потужність | P | <1.1 Вт | |||
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 300 пФVds = 10V | |||
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <20 В | |||
Постійний струм стоку | IDSS | <2.1 А | |||
Тип каналу польового транзистора | Канал | 2 P-Channel (Dual) | |||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <155 мОмId, Vgs = 2.1A, 4.5V | |||
Заряд затвору | QG | 6 нCVgs = 4.5V | |||
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | |||
Кількість однотипних елементів в одному корпусі | Елементів | 2 | |||