Биполярные транзисторы - Elcomps.com
Всего найдено 18470 компонентов
ИзображениеИмяICIC-iUCBOUCEOPCPC-ihFEUCE-satICB-RICE-rRfh21tCNFСтруктураUCBO-iPC-HSUCEO-iUBE-satCCCEIfrcМонтажКорпусПроизводитель
  
От
До
От
До
<100 мА
<100 мА
<100 мА
 
 
 
 
 
 
<45 В
<45 В
<45 В
 
<250 мВт
<250 мВт
 
 
 
 
>150Ic, Vce = 10µA, 5V
>150Ic, Vce = 10µA, 5V
 
<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA
<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA
 
 
 
 
 
 
 
<100 МГц
<100 МГц
 
 
 
 
 
 
PNP
PNP
PNP
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Поверхностный
Поверхностный
Поверхностный
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
 
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
<500 мА
<500 мА
<500 мА
 
 
 
 
 
 
<45 В
<45 В
<45 В
<350 мВт
<350 мВт
<350 мВт
 
 
 
>110Ic, Vce = 2mA, 5V
>110Ic, Vce = 2mA, 5V
>110Ic, Vce = 2mA, 5V
<250 мВIb, Ic = 500µA, 10mA
<250 мВIb, Ic = 500µA, 10mA
<250 мВIb, Ic = 500µA, 10mA
 
 
 
 
 
 
<330 МГц
<330 МГц
<330 МГц
 
 
 
 
 
 
NPN
NPN
NPN
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Поверхностный
Поверхностный
Поверхностный
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
<100 мА
<100 мА
<100 мА
 
 
 
 
 
 
<45 В
<45 В
<45 В
 
<250 мВт
<250 мВт
 
 
 
 
>150Ic, Vce = 10µA, 5V
>150Ic, Vce = 10µA, 5V
 
<250 мВIb, Ic = 500µA, 10mA
<250 мВIb, Ic = 500µA, 10mA
 
 
 
 
 
 
 
<100 МГц
<100 МГц
 
 
 
 
 
 
NPN
NPN
NPN
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Поверхностный
Поверхностный
Поверхностный
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
 
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
<100 мА
<100 мА
 
 
 
 
<60 В
<60 В
<250 мВт
<250 мВт
 
 
>90Ic, Vce = 10µA, 5V
>90Ic, Vce = 10µA, 5V
<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA
<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA
 
 
 
 
<150 МГц
<150 МГц
 
 
 
 
PNP
PNP
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Поверхностный
Поверхностный
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
<500 мА
<500 мА
<500 мА
 
 
 
 
 
 
<45 В
<45 В
<45 В
<300 мВт
<250 мВт
<250 мВт
 
 
 
>100Ic, Vce = 100mA, 1V
>100Ic, Vce = 100mA, 1V
>100Ic, Vce = 100mA, 1V
<620 мВIb, Ic = 50mA, 500mA
<620 мВIb, Ic = 50mA, 500mA
<620 мВIb, Ic = 50mA, 500mA
 
 
 
 
 
 
 
<80 МГц
<80 МГц
 
 
 
 
 
 
PNP
PNP
PNP
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Поверхностный
Поверхностный
Поверхностный
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
Fairchild Semiconductor
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
<500 мА
<500 мА
<500 мА
 
 
 
 
 
 
<25 В
<25 В
<25 В
 
<250 мВт
<250 мВт
 
 
 
>100Ic, Vce = 100mA, 1V
>100Ic, Vce = 100mA, 1V
>100Ic, Vce = 100mA, 1V
<620 мВIb, Ic = 50mA, 500mA
<620 мВIb, Ic = 50mA, 500mA
<620 мВIb, Ic = 50mA, 500mA
 
 
 
 
 
 
 
<80 МГц
<80 МГц
 
 
 
 
 
 
PNP
PNP
PNP
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Поверхностный
Поверхностный
Поверхностный
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
 
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
<500 мА
<500 мА
<500 мА
 
 
 
 
 
 
<45 В
<45 В
<45 В
<300 мВт
<300 мВт
<250 мВт
 
 
 
>100Ic, Vce = 100mA, 1V
>100Ic, Vce = 100mA, 1V
>100Ic, Vce = 100mA, 1V
<620 мВIb, Ic = 50mA, 500mA
<620 мВIb, Ic = 50mA, 500mA
<620 мВIb, Ic = 50mA, 500mA
 
 
 
 
 
 
 
 
<100 МГц
 
 
 
 
 
 
NPN
NPN
NPN
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Поверхностный
Поверхностный
Поверхностный
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
NXP Semiconductors
<800 мА
 
 
<25 В
<310 мВт
 
>100Ic, Vce = 100mA, 1V
<620 мВIb, Ic = 50mA, 500mA
 
 
 
 
 
NPN
 
 
 
 
 
 
 
Поверхностный
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
Fairchild Semiconductor
<800 мА
<800 мА
<800 мА
 
 
 
 
 
 
<60 В
<60 В
<60 В
<1 Вт
<1 Вт
<1 Вт
 
 
 
>5000Ic, Vce = 100mA, 5V
>5000Ic, Vce = 100mA, 5V
>5000Ic, Vce = 100mA, 5V
<1.25 ВIb, Ic = 8mA, 800mA
<1.25 ВIb, Ic = 8mA, 800mA
<1.25 ВIb, Ic = 8mA, 800mA
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
NPN Darlington
NPN Darlington
NPN Darlington
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
В отверстия
В отверстия
В отверстия
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Diodes/Zetex
Diodes/Zetex
Diodes/Zetex
<800 мА
<800 мА
 
 
 
 
<125 В
<125 В
<330 мВт
<330 мВт
 
 
>25Ic, Vce = 100µA, 1V
>25Ic, Vce = 100µA, 1V
<900 мВIb, Ic = 30mA, 300mA
<900 мВIb, Ic = 30mA, 300mA
 
 
 
 
<100 МГц
<100 МГц
 
 
 
 
NPN
NPN
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Поверхностный
Поверхностный
SOT-23
SOT-23
Infineon Technologies
Infineon Technologies