На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | BCX18,215 | BCX18,235 | BCX18LT1G | |
|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | ||
Производитель | Производитель | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors | ON Semiconductor |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | ||
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <500 мА | ||
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <25 В | ||
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <250 мВт | <250 мВт | <225 мВт |
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >100Ic, Vce = 100mA, 1V | ||
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <620 мВIb, Ic = 50mA, 500mA | ||
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | <80 МГц | <80 МГц | (не задано) |
Структура биполярного транзистора | Структура | PNP | ||