BCX17

BCX17, BCX17,215, BCX17,235, BCX17LT1, BCX17LT1G, BCX17LT3G, BCX17T116, BCX17TA, BCX17TC

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрBCX17,215BCX17,235BCX17LT1BCX17LT1GBCX17LT3GBCX17T116BCX17TABCX17TC
Корпус микросхемы
Корпус
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
Производитель
Производитель
NXP SemiconductorsNXP SemiconductorsON SemiconductorON SemiconductorON SemiconductorRohm SemiconductorDiodes/ZetexDiodes/Zetex
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
Поверхностный
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<500 мА
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера
UCEO
<45 В
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора
PC
<250 мВт<250 мВт<225 мВт<225 мВт<225 мВт<300 мВт<330 мВт<330 мВт
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора
hFE
>100Ic, Vce = 100mA, 1V
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора
UCE-sat
<620 мВIb, Ic = 50mA, 500mA
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора
fh21
<80 МГц<80 МГц(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)<100 МГц<100 МГц
Структура биполярного транзистора
Структура
PNP