На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | BCW70,215 | BCW70,235 | BCW70LT1 | BCW70LT1G | BCW70T116 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | ||||
Производитель | Производитель | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors | ON Semiconductor | ON Semiconductor | Rohm Semiconductor |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | ||||
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <100 мА | ||||
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <45 В | ||||
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <250 мВт | <250 мВт | <225 мВт | <300 мВт | (не задано) |
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >150Ic, Vce = 10µA, 5V | >150Ic, Vce = 10µA, 5V | >215Ic, Vce = 2mA, 5V | >215Ic, Vce = 2mA, 5V | >210Ic, Vce = 2mA, 5V |
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | (не задано) |
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | <100 МГц | <100 МГц | (не задано) | (не задано) | (не задано) |
Структура биполярного транзистора | Структура | PNP | ||||