Биполярные транзисторы - Elcomps.com
Всего найдено 18470 компонентов
ИзображениеИмяICIC-iUCBOUCEOPCPC-ihFEUCE-satICB-RICE-rRfh21tCNFСтруктураUCBO-iPC-HSUCEO-iUBE-satCCCEIfrcМонтажКорпусПроизводитель
  
От
До
От
До
 
<500 мА
<500 мА
 
 
 
 
 
 
<25 В
<25 В
<25 В
 
<330 мВт
<330 мВт
 
 
 
 
>160Ic, Vce = 100mA, 1V
>160Ic, Vce = 100mA, 1V
<700 мВIb, Ic = 50mA, 500mA
<700 мВIb, Ic = 50mA, 500mA
<700 мВIb, Ic = 50mA, 500mA
 
 
 
 
 
 
 
<200 МГц
<200 МГц
 
 
 
 
 
 
PNP
PNP
PNP
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Поверхностный
Поверхностный
Поверхностный
 
SOT-23
SOT-23
 
Infineon Technologies
Infineon Technologies
<800 мА
<800 мА
 
 
 
 
<25 В
<25 В
<310 мВт
<310 мВт
 
 
>160Ic, Vce = 100mA, 1V
>160Ic, Vce = 100mA, 1V
<700 мВIb, Ic = 50mA, 500mA
<700 мВIb, Ic = 50mA, 500mA
 
 
 
 
<100 МГц
<100 МГц
 
 
 
 
PNP
PNP
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<100 нА
<100 нА
Поверхностный
Поверхностный
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
<800 мА
<800 мА
 
 
 
 
<25 В
<25 В
<310 мВт
<310 мВт
 
 
>250Ic, Vce = 100mA, 1V
>250Ic, Vce = 100mA, 1V
<700 мВIb, Ic = 50mA, 500mA
<700 мВIb, Ic = 50mA, 500mA
 
 
 
 
<100 МГц
<100 МГц
 
 
 
 
PNP
PNP
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<100 нА
<100 нА
Поверхностный
Поверхностный
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
 
<800 мА
<800 мА
 
 
 
 
 
 
<45 В
<45 В
<45 В
 
<310 мВт
<310 мВт
 
 
 
 
>100Ic, Vce = 100mA, 1V
>100Ic, Vce = 100mA, 1V
 
<700 мВIb, Ic = 50mA, 500mA
<700 мВIb, Ic = 50mA, 500mA
 
 
 
 
 
 
 
<100 МГц
<100 МГц
 
 
 
 
 
 
NPN
NPN
NPN
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<100 нА
<100 нА
Поверхностный
Поверхностный
Поверхностный
 
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
 
Diodes Inc
Diodes Inc
<800 мА
<800 мА
 
 
 
 
<45 В
<45 В
<310 мВт
<310 мВт
 
 
>100Ic, Vce = 100mA, 1V
>100Ic, Vce = 100mA, 1V
<700 мВIb, Ic = 50mA, 500mA
<700 мВIb, Ic = 50mA, 500mA
 
 
 
 
<100 МГц
<100 МГц
 
 
 
 
NPN
NPN
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<100 нА
<100 нА
Поверхностный
Поверхностный
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
<800 мА
<800 мА
 
 
 
 
<45 В
<45 В
<310 мВт
<310 мВт
 
 
>160Ic, Vce = 100mA, 1V
>160Ic, Vce = 100mA, 1V
<700 мВIb, Ic = 50mA, 500mA
<700 мВIb, Ic = 50mA, 500mA
 
 
 
 
<100 МГц
<100 МГц
 
 
 
 
NPN
NPN
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<100 нА
<100 нА
Поверхностный
Поверхностный
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
<800 мА
<800 мА
<800 мА
 
 
 
 
 
 
<45 В
<45 В
<45 В
<310 мВт
<310 мВт
<310 мВт
 
 
 
>250Ic, Vce = 100mA, 1V
>250Ic, Vce = 100mA, 1V
>250Ic, Vce = 100mA, 1V
<700 мВIb, Ic = 50mA, 500mA
<700 мВIb, Ic = 50mA, 500mA
<700 мВIb, Ic = 50mA, 500mA
 
 
 
 
 
 
<100 МГц
<100 МГц
<100 МГц
 
 
 
 
 
 
NPN
NPN
NPN
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<100 нА
<100 нА
<100 нА
Поверхностный
Поверхностный
Поверхностный
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
<800 мА
<800 мА
 
 
 
 
<25 В
<25 В
<310 мВт
<310 мВт
 
 
>100Ic, Vce = 100mA, 1V
>100Ic, Vce = 100mA, 1V
<700 мВIb, Ic = 50mA, 500mA
<700 мВIb, Ic = 50mA, 500mA
 
 
 
 
<100 МГц
<100 МГц
 
 
 
 
NPN
NPN
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<100 нА
<100 нА
Поверхностный
Поверхностный
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
<500 мА
<500 мА
<500 мА
 
 
 
 
 
 
<25 В
<25 В
<25 В
 
<330 мВт
<330 мВт
 
 
 
 
>160Ic, Vce = 100mA, 1V
>250Ic, Vce = 100mA, 1V
<700 мВIb, Ic = 50mA, 500mA
<700 мВIb, Ic = 50mA, 500mA
<700 мВIb, Ic = 50mA, 500mA
 
 
 
 
 
 
 
<170 МГц
<170 МГц
 
 
 
 
 
 
NPN
NPN
NPN
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Поверхностный
Поверхностный
Поверхностный
 
SOT-23
SOT-23
 
Infineon Technologies
Infineon Technologies
<800 мА
<800 мА
 
 
 
 
<25 В
<25 В
<310 мВт
<310 мВт
 
 
>160Ic, Vce = 100mA, 1V
>160Ic, Vce = 100mA, 1V
<700 мВIb, Ic = 50mA, 500mA
<700 мВIb, Ic = 50mA, 500mA
 
 
 
 
<100 МГц
<100 МГц
 
 
 
 
NPN
NPN
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<100 нА
<100 нА
Поверхностный
Поверхностный
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor