На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | BC817-16 | BC817-16,215 | BC817-16,235 | BC817-16-7 | BC817-16-7-F | BC817-16B5003 | BC817-16E6327 | BC817-16E6433 | BC817-16LT1 | BC817-16LT1G | BC817-16LT3 | BC817-16LT3G | BC817-16-TP | BC817-16W,115 | BC817-16W,135 | BC817-16W-7 | BC817,215 | BC817,235 | BC817-25,215 | BC817-25,235 | BC817-25-7 | BC817-25-7-F | BC817-25B5003 | BC817-25E6327 | BC817-25E6433 | BC817-25LT1 | BC817-25LT1G | BC817-25LT3G | BC817-25-TP | BC817-25W,115 | BC817-25W,135 | BC817-25W-7 | BC817-25WE6327 | BC817-25WE6433 | BC817-40 | BC817-40,215 | BC817-40,235 | BC817-40-7 | BC817-40-7-F | BC817-40B5003 | BC817-40E6327 | BC817-40E6433 | BC817-40LT1 | BC817-40LT1G | BC817-40LT3 | BC817-40LT3G | BC817-40-TP | BC817-40W,115 | BC817-40W,135 | BC817-40W-7 | BC817-40WE6327 | BC817K-16E6327 | BC817K-16E6433 | BC817K-25E6327 | BC817K-25E6433 | BC817K-25WE6327 | BC817K-25WE6433 | BC817K-40E6327 | BC817K-40E6433 | BC817K-40WE6327 | BC817SUE6327 | BC817W,115 | BC817W,135 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-23 | SOT-23 | SOT-23 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-23 | SC-70-3, SOT-323-3 | SC-70-3, SOT-323-3 | SC-70-3, SOT-323-3 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-23 | SOT-23 | SOT-23 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-23 | SC-70-3, SOT-323-3 | SC-70-3, SOT-323-3 | SC-70-3, SOT-323-3 | SOT-323 | SOT-323 | SOT-23-3 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-23 | SOT-23 | SOT-23 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-23 | SC-70-3, SOT-323-3 | SC-70-3, SOT-323-3 | SC-70-3, SOT-323-3 | SOT-323 | SOT-23 | SOT-23 | SOT-23 | SOT-23 | SOT-323 | SOT-323 | SOT-23 | SOT-23 | SOT-323 | SC-74-6 | SC-70-3, SOT-323-3 | SC-70-3, SOT-323-3 |
Производитель | Производитель | Diodes Inc | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors | Diodes Inc | Diodes Inc | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | ON Semiconductor | ON Semiconductor | ON Semiconductor | ON Semiconductor | Micro Commercial Co | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors | Diodes Inc | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors | Diodes Inc | Diodes Inc | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | ON Semiconductor | ON Semiconductor | ON Semiconductor | Micro Commercial Co | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors | Diodes Inc | Infineon Technologies | Infineon Technologies | STMicroelectronics | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors | Diodes Inc | Diodes Inc | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | ON Semiconductor | ON Semiconductor | ON Semiconductor | ON Semiconductor | Micro Commercial Co | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors | Diodes Inc | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <800 мА | <500 мА | <500 мА | <800 мА | <800 мА | <500 мА | <500 мА | <500 мА | <500 мА | <500 мА | <500 мА | <500 мА | <800 мА | <500 мА | <500 мА | <500 мА | <500 мА | <500 мА | <500 мА | <500 мА | <800 мА | <800 мА | <500 мА | <500 мА | <500 мА | <500 мА | <500 мА | <500 мА | <800 мА | <500 мА | <500 мА | <500 мА | <500 мА | <500 мА | <500 мА | <500 мА | <500 мА | <800 мА | <800 мА | <500 мА | <500 мА | <500 мА | <500 мА | <500 мА | <500 мА | <500 мА | <800 мА | <500 мА | <500 мА | <500 мА | <500 мА | <500 мА | <500 мА | <500 мА | <500 мА | <500 мА | <500 мА | <500 мА | <500 мА | <500 мА | <500 мА | <500 мА | <500 мА |
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <45 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <310 мВт | <250 мВт | <250 мВт | <310 мВт | <310 мВт | <330 мВт | <330 мВт | <330 мВт | <225 мВт | <225 мВт | <225 мВт | <225 мВт | <310 мВт | <200 мВт | <200 мВт | <200 мВт | <250 мВт | <250 мВт | <250 мВт | <250 мВт | <310 мВт | <310 мВт | <330 мВт | <330 мВт | <330 мВт | <225 мВт | <225 мВт | <225 мВт | <310 мВт | <200 мВт | <200 мВт | <200 мВт | <250 мВт | <250 мВт | <250 мВт | <250 мВт | <250 мВт | <310 мВт | <310 мВт | <330 мВт | <330 мВт | <330 мВт | <225 мВт | <225 мВт | <225 мВт | <225 мВт | <310 мВт | <200 мВт | <200 мВт | <200 мВт | <250 мВт | <500 мВт | <500 мВт | <500 мВт | <500 мВт | <500 мВт | <500 мВт | <500 мВт | <500 мВт | <500 мВт | <1 Вт | <200 мВт | <200 мВт |
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >100Ic, Vce = 100mA, 1V | >100Ic, Vce = 100mA, 1V | >100Ic, Vce = 100mA, 1V | >100Ic, Vce = 100mA, 1V | >100Ic, Vce = 100mA, 1V | >100Ic, Vce = 100mA, 1V | >100Ic, Vce = 100mA, 1V | >100Ic, Vce = 100mA, 1V | >100Ic, Vce = 100mA, 1V | >100Ic, Vce = 100mA, 1V | >100Ic, Vce = 100mA, 1V | >100Ic, Vce = 100mA, 1V | >100Ic, Vce = 100mA, 1V | >100Ic, Vce = 100mA, 1V | >100Ic, Vce = 100mA, 1V | >100Ic, Vce = 100mA, 1V | >100Ic, Vce = 100mA, 1V | >100Ic, Vce = 100mA, 1V | >160Ic, Vce = 100mA, 1V | >160Ic, Vce = 100mA, 1V | >160Ic, Vce = 100mA, 1V | >160Ic, Vce = 100mA, 1V | >160Ic, Vce = 100mA, 1V | >160Ic, Vce = 100mA, 1V | >160Ic, Vce = 100mA, 1V | >160Ic, Vce = 100mA, 1V | >160Ic, Vce = 100mA, 1V | >160Ic, Vce = 100mA, 1V | >100Ic, Vce = 300mA, 1V | >160Ic, Vce = 100mA, 1V | >160Ic, Vce = 100mA, 1V | >160Ic, Vce = 100mA, 1V | >160Ic, Vce = 100mA, 1V | >160Ic, Vce = 100mA, 1V | >250Ic, Vce = 100mA, 1V | >250Ic, Vce = 100mA, 1V | >250Ic, Vce = 100mA, 1V | >250Ic, Vce = 100mA, 1V | >250Ic, Vce = 100mA, 1V | >250Ic, Vce = 100mA, 1V | >250Ic, Vce = 100mA, 1V | >250Ic, Vce = 100mA, 1V | >250Ic, Vce = 100mA, 1V | >250Ic, Vce = 100mA, 1V | >250Ic, Vce = 100mA, 1V | >250Ic, Vce = 100mA, 1V | >250Ic, Vce = 100mA, 1V | >250Ic, Vce = 100mA, 1V | >250Ic, Vce = 100mA, 1V | >250Ic, Vce = 100mA, 1V | >250Ic, Vce = 100mA, 1V | >100Ic, Vce = 100mA, 1V | >100Ic, Vce = 100mA, 1V | >250Ic, Vce = 100mA, 1V | >160Ic, Vce = 100mA, 1V | >160Ic, Vce = 100mA, 1V | >160Ic, Vce = 100mA, 1V | >250Ic, Vce = 100mA, 1V | >250Ic, Vce = 100mA, 1V | >250Ic, Vce = 100mA, 1V | >160Ic, Vce = 100mA, 1V | >100Ic, Vce = 100mA, 1V | >100Ic, Vce = 100mA, 1V |
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <700 мВIb, Ic = 50mA, 500mA | <700 мВIb, Ic = 50mA, 500mA | <700 мВIb, Ic = 50mA, 500mA | <700 мВIb, Ic = 50mA, 500mA | <700 мВIb, Ic = 50mA, 500mA | <700 мВIb, Ic = 50mA, 500mA | <700 мВIb, Ic = 50mA, 500mA | <700 мВIb, Ic = 50mA, 500mA | <700 мВIb, Ic = 50mA, 500mA | <700 мВIb, Ic = 50mA, 500mA | <700 мВIb, Ic = 50mA, 500mA | <700 мВIb, Ic = 50mA, 500mA | <400 мВIb, Ic = 50mA, 500mA | <700 мВIb, Ic = 50mA, 500mA | <700 мВIb, Ic = 50mA, 500mA | <700 мВIb, Ic = 50mA, 500mA | <700 мВIb, Ic = 50mA, 500mA | <700 мВIb, Ic = 50mA, 500mA | <700 мВIb, Ic = 50mA, 500mA | <700 мВIb, Ic = 50mA, 500mA | <700 мВIb, Ic = 50mA, 500mA | <700 мВIb, Ic = 50mA, 500mA | <700 мВIb, Ic = 50mA, 500mA | <700 мВIb, Ic = 50mA, 500mA | <700 мВIb, Ic = 50mA, 500mA | <700 мВIb, Ic = 50mA, 500mA | <700 мВIb, Ic = 50mA, 500mA | <700 мВIb, Ic = 50mA, 500mA | <700 мВIb, Ic = 50mA, 500mA | <700 мВIb, Ic = 50mA, 500mA | <700 мВIb, Ic = 50mA, 500mA | <700 мВIb, Ic = 50mA, 500mA | <700 мВIb, Ic = 50mA, 500mA | <700 мВIb, Ic = 50mA, 500mA | <700 мВIb, Ic = 50mA, 500mA | <700 мВIb, Ic = 50mA, 500mA | <700 мВIb, Ic = 50mA, 500mA | <700 мВIb, Ic = 50mA, 500mA | <700 мВIb, Ic = 50mA, 500mA | <700 мВIb, Ic = 50mA, 500mA | <700 мВIb, Ic = 50mA, 500mA | <700 мВIb, Ic = 50mA, 500mA | <700 мВIb, Ic = 50mA, 500mA | <700 мВIb, Ic = 50mA, 500mA | <700 мВIb, Ic = 50mA, 500mA | <700 мВIb, Ic = 50mA, 500mA | <700 мВIb, Ic = 50mA, 500mA | <700 мВIb, Ic = 50mA, 500mA | <700 мВIb, Ic = 50mA, 500mA | <700 мВIb, Ic = 50mA, 500mA | <700 мВIb, Ic = 50mA, 500mA | <700 мВIb, Ic = 50mA, 500mA | <700 мВIb, Ic = 50mA, 500mA | <700 мВIb, Ic = 50mA, 500mA | <700 мВIb, Ic = 50mA, 500mA | <700 мВIb, Ic = 50mA, 500mA | <700 мВIb, Ic = 50mA, 500mA | <700 мВIb, Ic = 50mA, 500mA | <700 мВIb, Ic = 50mA, 500mA | <700 мВIb, Ic = 50mA, 500mA | <400 мВIb, Ic = 50mA, 500mA | <700 мВIb, Ic = 50mA, 500mA | <700 мВIb, Ic = 50mA, 500mA |
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | <100 МГц | <100 МГц | <100 МГц | <100 МГц | <100 МГц | <170 МГц | <170 МГц | <170 МГц | <100 МГц | <100 МГц | <100 МГц | <100 МГц | <100 МГц | <100 МГц | <100 МГц | <100 МГц | <100 МГц | <100 МГц | <100 МГц | <100 МГц | <100 МГц | <100 МГц | <170 МГц | <170 МГц | <170 МГц | <100 МГц | <100 МГц | <100 МГц | <100 МГц | <100 МГц | <100 МГц | <100 МГц | <170 МГц | <170 МГц | <100 МГц | <100 МГц | <100 МГц | <100 МГц | <100 МГц | <170 МГц | <170 МГц | <170 МГц | <100 МГц | <100 МГц | <100 МГц | <100 МГц | <100 МГц | <100 МГц | <100 МГц | <100 МГц | <170 МГц | <170 МГц | <170 МГц | <170 МГц | <170 МГц | <170 МГц | <170 МГц | <170 МГц | <170 МГц | <170 МГц | <170 МГц | <100 МГц | <100 МГц |
Структура биполярного транзистора | Структура | NPN | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Ток отсечки коллектора | Ifrc | <100 нА | (не задано) | (не задано) | <100 нА | <100 нА | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) | <100 нА | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) | <100 нА | <100 нА | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) | <100 нА | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) | <100 нА | <100 нА | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) | <100 нА | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) |