BC808-25E6433

BC808, BC808-25E6327, BC808-25E6433, BC808-25LT1, BC808-25LT1G, BC808-25WE6327, BC808-40B6327, BC808-40E6327, BC808-40LT1, BC808-40LT1G, BC808-40WE6327

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрBC808-25E6327BC808-25E6433BC808-25LT1BC808-25LT1GBC808-25WE6327BC808-40B6327BC808-40E6327BC808-40LT1BC808-40LT1GBC808-40WE6327
Корпус микросхемы
Корпус
SOT-23SOT-23SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-323SOT-23SOT-23SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-323
Производитель
Производитель
Infineon TechnologiesInfineon TechnologiesON SemiconductorON SemiconductorInfineon TechnologiesInfineon TechnologiesInfineon TechnologiesON SemiconductorON SemiconductorInfineon Technologies
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
Поверхностный
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<500 мА<500 мА<500 мА<500 мА<500 мА<500 мА<500 мА<500 мА<500 мА<200 мА
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера
UCEO
<25 В
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора
PC
<330 мВт<330 мВт<225 мВт<225 мВт<250 мВт<330 мВт<330 мВт<225 мВт<225 мВт<250 мВт
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора
hFE
>160Ic, Vce = 100mA, 1V>160Ic, Vce = 100mA, 1V>160Ic, Vce = 100mA, 1V>160Ic, Vce = 100mA, 1V>160Ic, Vce = 100mA, 1V>250Ic, Vce = 100mA, 1V>250Ic, Vce = 100mA, 1V>250Ic, Vce = 100mA, 1V>250Ic, Vce = 100mA, 1V>250Ic, Vce = 100mA, 1V
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора
UCE-sat
<700 мВIb, Ic = 50mA, 500mA
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора
fh21
<200 МГц<200 МГц<100 МГц<100 МГц<200 МГц<200 МГц<200 МГц<100 МГц<100 МГц<200 МГц
Структура биполярного транзистора
Структура
PNP