На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | BC818-25E6327 | BC818-40E6327 | BC818-40LT1 | BC818-40LT1G | BC818K-16WE6327 | BC818K-25E6327 | BC818K-40E6327 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SOT-23 | SOT-23 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-323 | SOT-23 | SOT-23 |
Производитель | Производитель | Infineon Technologies | Infineon Technologies | ON Semiconductor | ON Semiconductor | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | ||||||
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <500 мА | ||||||
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <25 В | ||||||
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <330 мВт | <330 мВт | <225 мВт | <225 мВт | <500 мВт | <500 мВт | <500 мВт |
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >160Ic, Vce = 100mA, 1V | >250Ic, Vce = 100mA, 1V | >250Ic, Vce = 100mA, 1V | >250Ic, Vce = 100mA, 1V | >60Ic, Vce = 300mA, 1V | >100Ic, Vce = 300mA, 1V | >250Ic, Vce = 100mA, 1V |
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <700 мВIb, Ic = 50mA, 500mA | ||||||
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | <170 МГц | <170 МГц | <100 МГц | <100 МГц | <170 МГц | <170 МГц | <170 МГц |
Структура биполярного транзистора | Структура | NPN | ||||||