Биполярные транзисторы - Elcomps.com
Всего найдено 18470 компонентов
ИзображениеИмяICIC-iUCBOUCEOPCPC-ihFEUCE-satICB-RICE-rRfh21tCNFСтруктураUCBO-iPC-HSUCEO-iUBE-satCCCEIfrcМонтажКорпусПроизводитель
  
От
До
От
До
<50 мА
<50 мА
 
 
 
 
<150 В
<150 В
<1.2 Вт
<1.2 Вт
 
 
>130Ic, Vce = 10mA, 5V
>130Ic, Vce = 10mA, 5V
<1 ВIb, Ic = 3mA, 30mA
<1 ВIb, Ic = 3mA, 30mA
 
 
 
 
<70 МГц
<70 МГц
 
 
 
 
PNP
PNP
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
В отверстия
В отверстия
TO-126B-A1
TO-126B-A1
Panasonic - SSG
Panasonic - SSG
<1.5 А
 
 
<40 В
<10 Вт
 
>80Ic, Vce = 1A, 5V
<1 ВIb, Ic = 150mA, 1.5A
 
 
<150 МГц
 
 
PNP
 
 
 
 
 
 
 
В отверстия
TO-126B-A1
Panasonic - SSG
<1 А
<1 А
<1 А
 
 
 
 
 
 
<160 В
<160 В
<160 В
<900 мВт
<900 мВт
<900 мВт
 
 
 
 
>100Ic, Vce = 200mA, 5V
>60Ic, Vce = 200mA, 5V
<1.5 ВIb, Ic = 50mA, 500mA
<1.5 ВIb, Ic = 50mA, 500mA
<1.5 ВIb, Ic = 50mA, 500mA
 
 
 
 
 
 
<50 МГц
<50 МГц
<50 МГц
 
 
 
 
 
 
PNP
PNP
PNP
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
В отверстия
В отверстия
В отверстия
TO-92-3 (Long Body), TO-226
TO-92-3 (Long Body), TO-226
TO-92-3 (Long Body), TO-226
Toshiba
Toshiba
Toshiba
<150 мА
<150 мА
<150 мА
 
 
 
 
 
 
<50 В
<50 В
<50 В
<400 мВт
<400 мВт
<400 мВт
 
 
 
 
>200Ic, Vce = 2mA, 6V
>200Ic, Vce = 2mA, 6V
<300 мВIb, Ic = 10mA, 100mA
<300 мВIb, Ic = 10mA, 100mA
<300 мВIb, Ic = 10mA, 100mA
 
 
 
 
 
 
<80 МГц
<80 МГц
<80 МГц
 
 
 
 
 
 
PNP
PNP
PNP
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
В отверстия
В отверстия
В отверстия
TO-92-3 (Long Body), TO-226
TO-92-3 (Long Body), TO-226
TO-92-3 (Long Body), TO-226
Toshiba
Toshiba
Toshiba
<70 мА
<70 мА
 
 
 
 
<200 В
<200 В
<750 мВт
<750 мВт
 
 
>100Ic, Vce = 5mA, 10V
>100Ic, Vce = 5mA, 10V
<1.5 ВIb, Ic = 5mA, 50mA
<1.5 ВIb, Ic = 5mA, 50mA
 
 
 
 
<50 МГц
<50 МГц
 
 
 
 
PNP
PNP
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
В отверстия
В отверстия
TO-92
TO-92
Panasonic - SSG
Panasonic - SSG
<2 А
<2 А
<2 А
 
 
 
 
 
 
<50 В
<50 В
<50 В
<900 мВт
<900 мВт
<900 мВт
 
 
 
>70Ic, Vce = 500mA, 2V
>120Ic, Vce = 500mA, 2V
>70Ic, Vce = 500mA, 2V
<500 мВIb, Ic = 50mA, 1A
<500 мВIb, Ic = 50mA, 1A
<500 мВIb, Ic = 50mA, 1A
 
 
 
 
 
 
<100 МГц
<100 МГц
<100 МГц
 
 
 
 
 
 
PNP
PNP
PNP
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<1 мкА
<1 мкА
<1 мкА
В отверстия
В отверстия
В отверстия
TO-92-3 (Long Body), TO-226
TO-92-3 (Long Body), TO-226, TO-92-3 (Long Body), TO-226
TO-92-3 (Long Body), TO-226, TO-92-3 (Long Body), TO-226
ON Semiconductor
Toshiba
ON Semiconductor
<30 мА
<30 мА
<30 мА
 
 
 
 
 
 
<20 В
<20 В
<20 В
<200 мВт
<200 мВт
<200 мВт
 
 
 
 
>70Ic, Vce = 1mA, 10V
>110Ic, Vce = 1mA, 10V
<100 мВIb, Ic = 1mA, 10mA
<100 мВIb, Ic = 1mA, 10mA
<100 мВIb, Ic = 1mA, 10mA
 
 
 
 
 
 
<300 МГц
<300 МГц
<300 МГц
 
 
 
 
 
 
PNP
PNP
PNP
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Поверхностный
Поверхностный
Поверхностный
Mini3-G1 (SC-59)
Mini3-G1 (SC-59)
Mini3-G1 (SC-59)
Panasonic - SSG
Panasonic - SSG
Panasonic - SSG
<50 мА
<50 мА
 
 
 
 
<35 В
<35 В
<200 мВт
<200 мВт
 
 
>260Ic, Vce = 2mA, 5V
>260Ic, Vce = 2mA, 5V
<600 мВIb, Ic = 10mA, 100mA
<600 мВIb, Ic = 10mA, 100mA
 
 
 
 
<200 МГц
<200 МГц
 
 
 
 
PNP
PNP
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Поверхностный
Поверхностный
Mini3-G1 (SC-59)
Mini3-G1 (SC-59)
Panasonic - SSG
Panasonic - SSG
<50 мА
<50 мА
 
 
 
 
<55 В
<55 В
<200 мВт
<200 мВт
 
 
>260Ic, Vce = 2mA, 5V
>260Ic, Vce = 2mA, 5V
<600 мВIb, Ic = 10mA, 100mA
<600 мВIb, Ic = 10mA, 100mA
 
 
 
 
<200 МГц
<200 МГц
 
 
 
 
PNP
PNP
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Поверхностный
Поверхностный
Mini3-G1 (SC-59)
Mini3-G1 (SC-59)
Panasonic - SSG
Panasonic - SSG
<500 мА
<500 мА
<500 мА
 
 
 
 
 
 
<32 В
<32 В
<32 В
<200 мВт
<200 мВт
<200 мВт
 
 
 
 
>82Ic, Vce = 100mA, 3V
>120Ic, Vce = 100mA, 3V
<600 мВIb, Ic = 30mA, 300mA
<600 мВIb, Ic = 30mA, 300mA
<600 мВIb, Ic = 30mA, 300mA
 
 
 
 
 
 
<200 МГц
<200 МГц
<200 МГц
 
 
 
 
 
 
PNP
PNP
PNP
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Поверхностный
Поверхностный
Поверхностный
SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236
SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236
SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236
Rohm Semiconductor
Rohm Semiconductor
Rohm Semiconductor