На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | 2SA1020G | 2SA1020RLRAG | 2SA1020-Y(TE6,F,M) | |
|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | TO-92-3 (Long Body), TO-226, TO-92-3 (Long Body), TO-226 | TO-92-3 (Long Body), TO-226, TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | TO-92-3 (Long Body), TO-226, TO-92-3 (Long Body), TO-226 |
Производитель | Производитель | ON Semiconductor | ON Semiconductor | Toshiba |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия | ||
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <2 А | ||
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <50 В | ||
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <900 мВт | ||
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >70Ic, Vce = 500mA, 2V | >70Ic, Vce = 500mA, 2V | >120Ic, Vce = 500mA, 2V |
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <500 мВIb, Ic = 50mA, 1A | ||
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | <100 МГц | ||
Структура биполярного транзистора | Структура | PNP | ||
Ток отсечки коллектора | Ifrc | <1 мкА | ||