На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | 2SA1013-O(TE6,F,M) | 2SA1013-R(TE6,F,M) | |
|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | TO-92-3 (Long Body), TO-226 | |
Производитель | Производитель | Toshiba | |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия | |
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <1 А | |
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <160 В | |
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <900 мВт | |
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >100Ic, Vce = 200mA, 5V | >60Ic, Vce = 200mA, 5V |
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <1.5 ВIb, Ic = 50mA, 500mA | |
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | <50 МГц | |
Структура биполярного транзистора | Структура | PNP | |