2SA1015

2SA1015, 2SA1015-GR(F,T), 2SA1015-GR(TE2,F,T), 2SA1015-O(F,T), 2SA1015-O(TE2,F,T), 2SA1015-Y(F,T), 2SA1015-Y(TE2,F,T)

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

Параметр2SA1015-GR(F,T)2SA1015-GR(TE2,F,T)2SA1015-O(F,T)2SA1015-O(TE2,F,T)2SA1015-Y(F,T)2SA1015-Y(TE2,F,T)
Корпус микросхемы
Корпус
TO-92-3 (Long Body), TO-226
Производитель
Производитель
Toshiba
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
В отверстия
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<150 мА
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера
UCEO
<50 В
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора
PC
<400 мВт
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора
hFE
>200Ic, Vce = 2mA, 6V>200Ic, Vce = 2mA, 6V>70Ic, Vce = 2mA, 6V>70Ic, Vce = 2mA, 6V>120Ic, Vce = 2mA, 6V>120Ic, Vce = 2mA, 6V
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора
UCE-sat
<300 мВIb, Ic = 10mA, 100mA
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора
fh21
<80 МГц
Структура биполярного транзистора
Структура
PNP