Биполярные транзисторы - Elcomps.com
Всего найдено 18470 компонентов
ИзображениеИмяICIC-iUCBOUCEOPCPC-ihFEUCE-satICB-RICE-rRfh21tCNFСтруктураUCBO-iPC-HSUCEO-iUBE-satCCCEIfrcМонтажКорпусПроизводитель
  
От
До
От
До
От
До
От
До
От
До
От
До
От
До
От
До
От
До
От
До
От
До
От
До
От
До
От
До
От
До
От
До
От
До
От
До
От
До
От
До
2N5210
2N5210_D81Z
2N5210_J05Z
▾
<100 мА
<100 мА
<100 мА
 
 
 
 
 
 
<50 В
<50 В
<50 В
<625 мВт
<625 мВт
<625 мВт
 
 
 
>200Ic, Vce = 100µA, 5V
>200Ic, Vce = 100µA, 5V
>200Ic, Vce = 100µA, 5V
<700 мВIb, Ic = 1mA, 10mA
<700 мВIb, Ic = 1mA, 10mA
<700 мВIb, Ic = 1mA, 10mA
 
 
 
 
 
 
<30 МГц
<30 МГц
<30 МГц
 
 
 
 
 
 
NPN
NPN
NPN
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
В отверстия
В отверстия
В отверстия
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
2N5224
<100 мА
 
 
<12 В
<625 мВт
 
>40Ic, Vce = 10mA, 1V
<350 мВIb, Ic = 3mA, 10mA
 
 
 
 
 
NPN
 
 
 
 
 
 
 
В отверстия
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Fairchild Semiconductor
2N5302
2N5302G
<30 А
<30 А
 
 
 
 
<60 В
<60 В
<200 Вт
<200 Вт
 
 
>15Ic, Vce = 15A, 2V
>15Ic, Vce = 15A, 2V
<700 мВIb, Ic = 1A, 10A
<700 мВIb, Ic = 1A, 10A
 
 
 
 
<2 МГц
<2 МГц
 
 
 
 
NPN
NPN
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<5 мА
<5 мА
На шасси/провод
На шасси/провод
TO-204, TO-3
TO-204, TO-3
ON Semiconductor
ON Semiconductor
2N5306
2N5306_D74Z
<1.2 А
<1.2 А
 
 
 
 
<25 В
<25 В
<625 мВт
<625 мВт
 
 
>7000Ic, Vce = 2mA, 5V
>7000Ic, Vce = 2mA, 5V
<1.4 ВIb, Ic = 200µA, 200mA
<1.4 ВIb, Ic = 200µA, 200mA
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
NPN Darlington
NPN Darlington
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
В отверстия
В отверстия
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
2N5307
2N5307_D74Z
<1.2 А
<1.2 А
 
 
 
 
<40 В
<40 В
<625 мВт
<625 мВт
 
 
>2000Ic, Vce = 2mA, 5V
>2000Ic, Vce = 2mA, 5V
<1.4 ВIb, Ic = 200µA, 200mA
<1.4 ВIb, Ic = 200µA, 200mA
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
NPN Darlington
NPN Darlington
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
В отверстия
В отверстия
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
2N5308
2N5308_D26Z
2N5308_D27Z
▾
<1.2 А
<1.2 А
<1.2 А
 
 
 
 
 
 
<40 В
<40 В
<40 В
<625 мВт
<625 мВт
<625 мВт
 
 
 
>7000Ic, Vce = 2mA, 5V
>7000Ic, Vce = 2mA, 5V
>7000Ic, Vce = 2mA, 5V
<1.4 ВIb, Ic = 200µA, 200mA
<1.4 ВIb, Ic = 200µA, 200mA
<1.4 ВIb, Ic = 200µA, 200mA
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
NPN Darlington
NPN Darlington
NPN Darlington
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
В отверстия
В отверстия
В отверстия
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
2N5366
2N5366_D26Z
2N5366_D27Z
▾
<500 мА
<500 мА
<500 мА
 
 
 
 
 
 
<40 В
<40 В
<40 В
<625 мВт
<625 мВт
<625 мВт
 
 
 
>100Ic, Vce = 50mA, 1V
>100Ic, Vce = 50mA, 1V
>100Ic, Vce = 50mA, 1V
<1 ВIb, Ic = 30mA, 300mA
<1 ВIb, Ic = 30mA, 300mA
<1 ВIb, Ic = 30mA, 300mA
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
PNP
PNP
PNP
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<100 нА
<100 нА
<100 нА
В отверстия
В отверстия
В отверстия
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
2N5400
2N5400_D26Z
2N5400_D27Z
▾
<600 мА
<600 мА
<600 мА
 
 
 
 
 
 
<120 В
<120 В
<120 В
<625 мВт
<625 мВт
<625 мВт
 
 
 
>40Ic, Vce = 10mA, 5V
>40Ic, Vce = 10mA, 5V
>40Ic, Vce = 10mA, 5V
<500 мВIb, Ic = 5mA, 50mA
<500 мВIb, Ic = 5mA, 50mA
<500 мВIb, Ic = 5mA, 50mA
 
 
 
 
 
 
<400 МГц
<400 МГц
<400 МГц
 
 
 
 
 
 
PNP
PNP
PNP
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
В отверстия
В отверстия
В отверстия
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
2N5401
2N5401_D10Z
2N5401_D28Z
▾
<600 мА
<600 мА
<600 мА
 
 
 
 
 
 
<150 В
<150 В
<150 В
<625 мВт
<625 мВт
<625 мВт
 
 
 
>60Ic, Vce = 10mA, 5V
>60Ic, Vce = 10mA, 5V
>60Ic, Vce = 10mA, 5V
<200 мВIb, Ic = 1mA, 10mA
<500 мВIb, Ic = 5mA, 50mA
<500 мВIb, Ic = 5mA, 50mA
 
 
 
 
 
 
<300 МГц
<400 МГц
<400 МГц
 
 
 
 
 
 
PNP
PNP
PNP
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<50 нА
<50 нА
<50 нА
В отверстия
В отверстия
В отверстия
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
ON Semiconductor
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
2N5415
<1 А
 
 
<200 В
<10 Вт
 
>30Ic, Vce = 50mA, 10V
<2.5 ВIb, Ic = 5mA, 50mA
 
 
<15 МГц
 
 
PNP
 
 
 
 
 
 
<50 мкА
В отверстия
TO-39-3, TO-205AD, Металлическая банка
STMicroelectronics