2N5401

2N5401, 2N5401,116, 2N5401,412, 2N5401BU, 2N5401CTA, 2N5401CYTA, 2N5401_D10Z, 2N5401_D28Z, 2N5401_D81Z, 2N5401DI, 2N5401G, 2N5401_J05Z, 2N5401_J61Z, 2N5401NLBU, 2N5401RL1, 2N5401RL1G, 2N5401RLRA, 2N5401RLRAG, 2N5401RLRM, 2N5401RLRMG, 2N5401_S00Z, 2N5401TA, 2N5401TAR, 2N5401TF, 2N5401TFR, 2N5401YBU, 2N5401YTA, 2N5401ZL1, 2N5401ZL1G

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

Параметр		2N5401,116	2N5401,412	2N5401BU	2N5401CTA	2N5401CYTA	2N5401_D10Z	2N5401_D28Z	2N5401_D81Z	2N5401DI	2N5401G	2N5401_J05Z	2N5401_J61Z	2N5401NLBU	2N5401RL1	2N5401RL1G	2N5401RLRA	2N5401RLRAG	2N5401RLRM	2N5401RLRMG	2N5401_S00Z	2N5401TA	2N5401TAR	2N5401TF	2N5401TFR	2N5401YBU	2N5401YTA	2N5401ZL1	2N5401ZL1G
Корпус микросхемы	Корпус	TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Производитель	Производитель	NXP Semiconductors	NXP Semiconductors	Fairchild Semiconductor	Fairchild Semiconductor	Fairchild Semiconductor	Fairchild Semiconductor	Fairchild Semiconductor	Fairchild Semiconductor	Diodes Inc	ON Semiconductor	Fairchild Semiconductor	Fairchild Semiconductor	Fairchild Semiconductor	ON Semiconductor	ON Semiconductor	ON Semiconductor	ON Semiconductor	ON Semiconductor	ON Semiconductor	Fairchild Semiconductor	Fairchild Semiconductor	Fairchild Semiconductor	Fairchild Semiconductor	Fairchild Semiconductor	Fairchild Semiconductor	Fairchild Semiconductor	ON Semiconductor	ON Semiconductor
Тип монтажа компонента на плату или в схему	Монтаж	В отверстия
Постоянный ток коллектора транзистора	I_C	<300 мА	<300 мА	<600 мА	<600 мА	<600 мА	<600 мА	<600 мА	<600 мА	<200 мА	<600 мА	<600 мА	<600 мА	<600 мА	<600 мА	<600 мА	<600 мА	<600 мА	<600 мА	<600 мА	<600 мА	<600 мА	<600 мА	<600 мА	<600 мА	<600 мА	<600 мА	<600 мА	<600 мА
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера	U_CEO	<150 В
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора	P_C	<630 мВт	<630 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<1.5 Вт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора	hFE	>60Ic, Vce = 10mA, 5V
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора	U_CE-sat	<200 мВIb, Ic = 1mA, 10mA	<200 мВIb, Ic = 1mA, 10mA	<500 мВIb, Ic = 5mA, 50mA	<500 мВIb, Ic = 5mA, 50mA	<500 мВIb, Ic = 5mA, 50mA	<500 мВIb, Ic = 5mA, 50mA	<500 мВIb, Ic = 5mA, 50mA	<500 мВIb, Ic = 5mA, 50mA	<500 мВIb, Ic = 5mA, 50mA	<200 мВIb, Ic = 1mA, 10mA	<500 мВIb, Ic = 5mA, 50mA	<500 мВIb, Ic = 5mA, 50mA	<500 мВIb, Ic = 5mA, 50mA	<200 мВIb, Ic = 1mA, 10mA	<200 мВIb, Ic = 1mA, 10mA	<200 мВIb, Ic = 1mA, 10mA	<200 мВIb, Ic = 1mA, 10mA	<200 мВIb, Ic = 1mA, 10mA	<200 мВIb, Ic = 1mA, 10mA	<500 мВIb, Ic = 5mA, 50mA	<500 мВIb, Ic = 5mA, 50mA	<500 мВIb, Ic = 5mA, 50mA	<500 мВIb, Ic = 5mA, 50mA	<500 мВIb, Ic = 5mA, 50mA	<500 мВIb, Ic = 5mA, 50mA	<500 мВIb, Ic = 5mA, 50mA	<200 мВIb, Ic = 1mA, 10mA	<200 мВIb, Ic = 1mA, 10mA
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора	f_h21	<300 МГц	<300 МГц	<400 МГц	<400 МГц	<400 МГц	<400 МГц	<400 МГц	<400 МГц	<300 МГц	<300 МГц	<400 МГц	<400 МГц	<400 МГц	<300 МГц	<300 МГц	<300 МГц	<300 МГц	<300 МГц	<300 МГц	<400 МГц	<400 МГц	<400 МГц	<400 МГц	<400 МГц	<400 МГц	<400 МГц	<300 МГц	<300 МГц
Структура биполярного транзистора	Структура	PNP
Ток отсечки коллектора	I_frc	<50 нА