На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | 2N5210BU | 2N5210_D81Z | 2N5210_J05Z | 2N5210NMBU | 2N5210_S00Z | 2N5210TA | 2N5210TAR | 2N5210TF | 2N5210TFR | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | ||||||||
Производитель | Производитель | Fairchild Semiconductor | ||||||||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия | ||||||||
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <100 мА | ||||||||
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <50 В | ||||||||
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <625 мВт | ||||||||
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >200Ic, Vce = 100µA, 5V | ||||||||
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <700 мВIb, Ic = 1mA, 10mA | ||||||||
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | <30 МГц | ||||||||
Структура биполярного транзистора | Структура | NPN | ||||||||