На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | 2N5400_D26Z | 2N5400_D27Z | 2N5400_D75Z | 2N5400_D81Z | 2N5400G | 2N5400RA | 2N5400RLRP | 2N5400RLRPG | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | |||||||
Производитель | Производитель | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | ON Semiconductor | Fairchild Semiconductor | ON Semiconductor | ON Semiconductor |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия | |||||||
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <600 мА | |||||||
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <120 В | |||||||
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <625 мВт | |||||||
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >40Ic, Vce = 10mA, 5V | |||||||
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <500 мВIb, Ic = 5mA, 50mA | <500 мВIb, Ic = 5mA, 50mA | <500 мВIb, Ic = 5mA, 50mA | <500 мВIb, Ic = 5mA, 50mA | <200 мВIb, Ic = 1mA, 10mA | <500 мВIb, Ic = 5mA, 50mA | <200 мВIb, Ic = 1mA, 10mA | <200 мВIb, Ic = 1mA, 10mA |
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | <400 МГц | |||||||
Структура биполярного транзистора | Структура | PNP | |||||||