MOSFET - Elcomps.com
Всего найдено 22554 компонентов
ИзображениеИмяСерияQGFET FeatureNFPS1-S2/II01-I02IGC11C12C22U0UGDUGSUDSSIDSSPHSТехнологияКаналRDS-ONIDSS-IМонтажКорпусПроизводитель
  
От
До
NexFET™
NexFET™
12.3 нCVgs = 10V
12.3 нCVgs = 10V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<2.8 Вт
<2.8 Вт
 
 
 
 
 
 
1.4 нФVds = 10V
1.4 нФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<20 В
<20 В
<13.6 А
<13.6 А
 
 
 
 
P-ch
P-ch
<11.5 мОмId, Vgs = 10A, 4.5V
<11.5 мОмId, Vgs = 10A, 4.5V
 
 
Поверхностный
Поверхностный
8-QFN
8-QFN
Texas Instruments
Texas Instruments
 
 
25 нCVgs = 10V
25 нCVgs = 10V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<2.5 Вт
<2.5 Вт
 
 
 
 
 
 
350 пФVds = 10V
350 пФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<3.4 А
<3.4 А
 
 
 
 
P-ch
P-ch
<130 мОмId, Vgs = 1A, 10V
<130 мОмId, Vgs = 1A, 10V
 
 
Поверхностный
Поверхностный
8-SOP
8-SOP
Diodes Inc
Diodes Inc
 
 
40 нCVgs = 10V
40 нCVgs = 10V
Standard
Standard
 
 
<2.5 Вт
<2.5 Вт
 
 
 
 
 
 
1.425 нФVds = 10V
1.425 нФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<20 В
<20 В
<4.3 А
<4.3 А
 
 
 
 
P-ch
P-ch
<100 мОмId, Vgs = 2A, 10V
<100 мОмId, Vgs = 2A, 10V
 
 
Поверхностный
Поверхностный
8-SOIC (3.9mm Width)
8-SOIC (3.9mm Width)
Diodes Inc
Diodes Inc
 
 
38 нCVgs = 10V
38 нCVgs = 10V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<2.5 Вт
<2.5 Вт
 
 
 
 
 
 
1.43 нФVds = 10V
1.43 нФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<20 В
<20 В
<5.3 А
<5.3 А
 
 
 
 
P-ch
P-ch
<60 мОмId, Vgs = 5.3A, 10V
<60 мОмId, Vgs = 5.3A, 10V
 
 
Поверхностный
Поверхностный
8-SOP
8-SOP
Diodes Inc
Diodes Inc
 
 
40 нCVgs = 10V
40 нCVgs = 10V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<2.5 Вт
<2.5 Вт
 
 
 
 
 
 
950 пФVds = 15V
950 пФVds = 15V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<5.3 А
<5.3 А
 
 
 
 
P-ch
P-ch
<50 мОмId, Vgs = 5.3A, 10V
<50 мОмId, Vgs = 5.3A, 10V
 
 
Поверхностный
Поверхностный
8-SOP
8-SOP
Diodes Inc
Diodes Inc
 
 
 
 
740 пCVgs = 4.5V
736.6 нCVgs = 4.5V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
 
 
<280 мВт
<290 мВт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
60.67 пФVds = 16V
60.67 пФVds = 16V
60.67 пФVds = 16V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<20 В
<20 В
<20 В
 
<630 мА
<1 А
 
 
 
 
 
 
N-ch
N-ch
N-ch
 
<400 мОмId, Vgs = 600mA, 4.5V
<450 мОмId, Vgs = 600mA, 4.5V
 
 
 
Поверхностный
Поверхностный
Поверхностный
 
SOT-523
SOT-323
Diodes Inc
Diodes Inc
Diodes Inc
 
 
 
 
622 пCVgs = 4.5V
622.4 нCVgs = 4.5V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
 
 
<270 мВт
<310 мВт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
59.76 пФVds = 16V
59.76 пФVds = 16V
59.76 пФVds = 16V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<20 В
<20 В
<20 В
 
<460 мА
 
 
 
 
 
 
 
P-ch
P-ch
P-ch
 
<700 мОмId, Vgs = 350mA, 4.5V
<750 мОмId, Vgs = 430mA, 4.5V
 
 
 
Поверхностный
Поверхностный
Поверхностный
 
SOT-523
SOT-323
Diodes Inc
Diodes Inc
Diodes Inc
 
 
6.5 нCVgs = 4.5V
6.5 нCVgs = 4.5V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<800 мВт
<800 мВт
 
 
 
 
 
 
608 пФVds = 6V
608 пФVds = 6V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<20 В
<20 В
<2.5 А
<2.5 А
 
 
 
 
P-ch
P-ch
<130 мОмId, Vgs = 2.8A, 4.5V
<130 мОмId, Vgs = 2.8A, 4.5V
 
 
Поверхностный
Поверхностный
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
Diodes Inc
Diodes Inc
 
 
7 нCVgs = 4.5V
7 нCVgs = 4.5V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<800 мВт
<800 мВт
 
 
 
 
 
 
594.3 пФVds = 10V
594.3 пФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<20 В
<20 В
<4.2 А
<4.2 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
 
 
 
 
Поверхностный
Поверхностный
 
Diodes Inc
Diodes Inc
 
 
9.6 нCVgs = 4.5V
9.6 нCVgs = 4.5V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<780 мВт
<780 мВт
 
 
 
 
 
 
829.9 пФVds = 10V
829.9 пФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<20 В
<20 В
<4.2 А
<4.2 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<25 мОмId, Vgs = 8.2A, 4.5V
<25 мОмId, Vgs = 8.2A, 4.5V
 
 
Поверхностный
Поверхностный
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
Diodes Inc
Diodes Inc