DMG1013UW-7

DMG1013, DMG1013T-7, DMG1013UW-7

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрDMG1013T-7DMG1013UW-7
Корпус микросхемы
Корпус
SOT-523SOT-323
Производитель
Производитель
Diodes Inc
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
Поверхностный
Мощность
P
<270 мВт<310 мВт
Входная емкость полевого транзистора
C11
59.76 пФVds = 16V
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<20 В
Постоянный ток стока
IDSS
<460 мА(не задано)
Тип канала полевого транзистора
Канал
P-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<700 мОмId, Vgs = 350mA, 4.5V<750 мОмId, Vgs = 430mA, 4.5V
Заряд затвора
QG
622 пCVgs = 4.5V622.4 нCVgs = 4.5V
FET Feature
FET Feature
Logic Level Gate