На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | CSD25401Q3 | |
|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | 8-QFN |
Производитель | Производитель | Texas Instruments |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный |
Мощность | P | <2.8 Вт |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 1.4 нФVds = 10V |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <20 В |
Постоянный ток стока | IDSS | <13.6 А |
Тип канала полевого транзистора | Канал | P-ch |
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <11.5 мОмId, Vgs = 10A, 4.5V |
Серия MOSFET | Серия | NexFET™ |
Заряд затвора | QG | 12.3 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate |