На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | DMG1012T-7 | DMG1012UW-7 | |
|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SOT-523 | SOT-323 |
Производитель | Производитель | Diodes Inc | |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |
Мощность | P | <280 мВт | <290 мВт |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 60.67 пФVds = 16V | |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <20 В | |
Постоянный ток стока | IDSS | <630 мА | <1 А |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | |
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <400 мОмId, Vgs = 600mA, 4.5V | <450 мОмId, Vgs = 600mA, 4.5V |
Заряд затвора | QG | 740 пCVgs = 4.5V | 736.6 нCVgs = 4.5V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | |