MOSFET - Elcomps.com
Всего найдено 22554 компонентов
ИзображениеИмяСерияQGFET FeatureNFPS1-S2/II01-I02IGC11C12C22U0UGDUGSUDSSIDSSPHSТехнологияКаналRDS-ONIDSS-IМонтажКорпусПроизводитель
  
От
До
SIPMOS®
SIPMOS®
SIPMOS®
2.1 нCVgs = 5V
2.1 нCVgs = 5V
2.1 нCVgs = 5V
Depletion Mode
Depletion Mode
Depletion Mode
 
 
 
<500 мВт
<500 мВт
<500 мВт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
28 пФVds = 25V
28 пФVds = 25V
28 пФVds = 25V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<600 В
<600 В
<600 В
<21 мА
<21 мА
<21 мА
 
 
 
 
 
 
N-ch
N-ch
N-ch
<500 ОмId, Vgs = 16mA, 10V
<500 ОмId, Vgs = 16mA, 10V
<500 ОмId, Vgs = 16mA, 10V
 
 
 
Поверхностный
Поверхностный
Поверхностный
SOT-23
SOT-23
SOT-23
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
SIPMOS®
SIPMOS®
SIPMOS®
2.1 нCVgs = 5V
2.1 нCVgs = 5V
2.1 нCVgs = 5V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
 
<500 мВт
<500 мВт
<500 мВт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
28 пФVds = 25V
28 пФVds = 25V
28 пФVds = 25V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<600 В
<600 В
<600 В
<21 мА
<21 мА
<21 мА
 
 
 
 
 
 
N-ch
N-ch
N-ch
<500 ОмId, Vgs = 16mA, 10V
<500 ОмId, Vgs = 16mA, 10V
<500 ОмId, Vgs = 16mA, 10V
 
 
 
Поверхностный
Поверхностный
Поверхностный
SOT-23
SOT-23
SOT-23
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
SIPMOS®
SIPMOS®
SIPMOS®
3.1 нCVgs = 10V
3.1 нCVgs = 10V
3.1 нCVgs = 10V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
 
<360 мВт
<360 мВт
<360 мВт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
77 пФVds = 25V
77 пФVds = 25V
77 пФVds = 25V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<240 В
<240 В
<240 В
<110 мА
<110 мА
<110 мА
 
 
 
 
 
 
N-ch
N-ch
N-ch
<14 ОмId, Vgs = 100mA, 10V
<14 ОмId, Vgs = 100mA, 10V
<14 ОмId, Vgs = 100mA, 10V
 
 
 
Поверхностный
Поверхностный
Поверхностный
SOT-23
SOT-23
SOT-23
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
 
 
 
2.4 нCVgs = 10V
2.4 нCVgs = 10V
2.4 нCVgs = 10V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
 
<360 мВт
<360 мВт
<360 мВт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
27 пФVds = 25V
27 пФVds = 25V
27 пФVds = 25V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<50 В
<50 В
<50 В
<220 мА
<220 мА
<220 мА
 
 
 
 
 
 
N-ch
N-ch
N-ch
<3.5 ОмId, Vgs = 220mA, 10V
<3.5 ОмId, Vgs = 220mA, 10V
<3.5 ОмId, Vgs = 220mA, 10V
 
 
 
Поверхностный
Поверхностный
Поверхностный
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
SIPMOS®
SIPMOS®
SIPMOS®
3.5 нCVgs = 5V
3.5 нCVgs = 5V
3.5 нCVgs = 5V
Depletion Mode
Depletion Mode
Depletion Mode
 
 
 
<360 мВт
<360 мВт
<360 мВт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
76 пФVds = 25V
76 пФVds = 25V
76 пФVds = 25V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<250 В
<250 В
<250 В
<100 мА
<100 мА
<100 мА
 
 
 
 
 
 
N-ch
N-ch
N-ch
<14 ОмId, Vgs = 0.1mA, 10V
<14 ОмId, Vgs = 0.1mA, 10V
<14 ОмId, Vgs = 0.1mA, 10V
 
 
 
Поверхностный
Поверхностный
Поверхностный
SOT-23
SOT-23
SOT-23
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
SIPMOS®
SIPMOS®
SIPMOS®
2.9 нCVgs = 5V
2.9 нCVgs = 5V
2.9 нCVgs = 5V
Depletion Mode
Depletion Mode
Depletion Mode
 
 
 
<360 мВт
<360 мВт
<360 мВт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
44 пФVds = 25V
44 пФVds = 25V
44 пФVds = 25V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<60 В
<60 В
<60 В
<230 мА
<230 мА
<230 мА
 
 
 
 
 
 
N-ch
N-ch
N-ch
<3.5 ОмId, Vgs = 160mA, 10V
<3.5 ОмId, Vgs = 160mA, 10V
<3.5 ОмId, Vgs = 160mA, 10V
 
 
 
Поверхностный
Поверхностный
Поверхностный
SOT-23
SOT-23
SOT-23
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
SIPMOS®
SIPMOS®
SIPMOS®
2.8 нCVgs = 7V
2.8 нCVgs = 7V
2.8 нCVgs = 7V
Depletion Mode
Depletion Mode
Depletion Mode
 
 
 
<360 мВт
<360 мВт
<360 мВт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
68 пФVds = 25V
68 пФVds = 25V
68 пФVds = 25V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<100 В
<100 В
<100 В
<170 мА
<170 мА
<170 мА
 
 
 
 
 
 
N-ch
N-ch
N-ch
<6 ОмId, Vgs = 170mA, 10V
<6 ОмId, Vgs = 170mA, 10V
<6 ОмId, Vgs = 170mA, 10V
 
 
 
Поверхностный
Поверхностный
Поверхностный
SOT-23
SOT-23
SOT-23
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
 
 
 
 
 
 
Logic Level Gate
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
 
<1 Вт
<1 Вт
<1 Вт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
90 пФVds = 25V
90 пФVds = 25V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<240 В
<240 В
 
<200 мА
<200 мА
 
 
 
 
 
 
P-ch
P-ch
P-ch
 
<12 ОмId, Vgs = 200mA, 10V
<12 ОмId, Vgs = 200mA, 10V
 
 
 
Поверхностный
Поверхностный
Поверхностный
 
SC-62, SOT-89, MPT3 (3 leads + Tab)
SC-62, SOT-89, MPT3 (3 leads + Tab)
 
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
OptiMOS™
OptiMOS™
3.2 нCVgs = 4.5V
3.2 нCVgs = 4.5V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<500 мВт
<500 мВт
 
 
 
 
 
 
419 пФVds = 10V
419 пФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<20 В
<20 В
<2.5 А
<2.5 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<50 мОмId, Vgs = 2.5A, 4.5V
<50 мОмId, Vgs = 2.5A, 4.5V
 
 
Поверхностный
Поверхностный
SOT-23
SOT-23
Infineon Technologies
Infineon Technologies
OptiMOS™
OptiMOS™
OptiMOS™
1.38 нCVgs = 4.5V
1.38 нCVgs = 4.5V
1.38 нCVgs = 4.5V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
 
<520 мВт
<520 мВт
<520 мВт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
89.9 пФVds = 15V
89.9 пФVds = 15V
89.9 пФVds = 15V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<20 В
<20 В
<20 В
<580 мА
<580 мА
<580 мА
 
 
 
 
 
 
P-ch
P-ch
P-ch
<550 мОмId, Vgs = 580mA, 4.5V
<550 мОмId, Vgs = 580mA, 4.5V
<550 мОмId, Vgs = 580mA, 4.5V
 
 
 
Поверхностный
Поверхностный
Поверхностный
SOT-323
SOT-323
SOT-323
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies