На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | BSS127E6327 | BSS127L6327 | |
|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SOT-23 | |
Производитель | Производитель | Infineon Technologies | |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |
Мощность | P | <500 мВт | |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 28 пФVds = 25V | |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <600 В | |
Постоянный ток стока | IDSS | <21 мА | |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | |
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <500 ОмId, Vgs = 16mA, 10V | |
Серия MOSFET | Серия | SIPMOS® | |
Заряд затвора | QG | 2.1 нCVgs = 5V | |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | |