На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | BSS192,115 | BSS192,135 | BSS192E6327 | BSS192PE6327 | BSS192PE6327T | BSS192PL6327 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SC-62, SOT-89, MPT3 (3 leads + Tab) | SC-62, SOT-89, MPT3 (3 leads + Tab) | SOT-89 | SOT-89 | SOT-89 | SOT-89 |
Производитель | Производитель | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |||||
Мощность | P | <1 Вт | |||||
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 90 пФVds = 25V | 90 пФVds = 25V | 130 пФVds = 25V | 104 пФVds = 25V | 104 пФVds = 25V | 104 пФVds = 25V |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <240 В | <240 В | <240 В | <250 В | <250 В | <250 В |
Постоянный ток стока | IDSS | <200 мА | <200 мА | <150 мА | <190 мА | <190 мА | <190 мА |
Тип канала полевого транзистора | Канал | P-ch | |||||
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <12 ОмId, Vgs = 200mA, 10V | <12 ОмId, Vgs = 200mA, 10V | <20 ОмId, Vgs = 150mA, 10V | <12 ОмId, Vgs = 190mA, 10V | <12 ОмId, Vgs = 190mA, 10V | <12 ОмId, Vgs = 190mA, 10V |
Серия MOSFET | Серия | (не задано) | (не задано) | SIPMOS® | SIPMOS® | SIPMOS® | SIPMOS® |
Заряд затвора | QG | (не задано) | (не задано) | (не задано) | 6.1 нCVgs = 10V | 6.1 нCVgs = 10V | 6.1 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | |||||