На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | BSS131E6327 | BSS131L6327 | |
|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SOT-23 | |
Производитель | Производитель | Infineon Technologies | |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |
Мощность | P | <360 мВт | |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 77 пФVds = 25V | |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <240 В | |
Постоянный ток стока | IDSS | <110 мА | |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | |
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <14 ОмId, Vgs = 100mA, 10V | |
Серия MOSFET | Серия | SIPMOS® | |
Заряд затвора | QG | 3.1 нCVgs = 10V | |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | |