Полевые тразисторы - Elcomps.com
Всего найдено 25 177 компонентов
ИзображениеИмяNFPS1-S2/II01-I02IGC11C12C22U0UGDUGSUDSSIDSSPHSТехнологияКаналRDS-ONIDSS-IМонтажКорпусПроизводитель
  
От
До
От
До
От
До
От
До
От
До
От
До
От
До
От
До
От
До
От
До
От
До
От
До
От
До
От
До
От
До
От
До
КП327
КП327А
КП327Б
▾
 
3.9 дБпри f = 0.8 ГГц
2.8 дБпри f = 0.2 ГГц
<200 мВт
<200 мВт
<200 мВт
>9.5при Iс = 10 мА
>9.5при Iс = 10 мА
>9.5при Iс = 10 мА
 
500 мА ~ 17 Апри U = 10 В
500 мА ~ 17 Апри U = 10 В
50 нАпри Uсз = 5В
50 нАпри Uсз = 5В
50 нАпри Uсз = 5В
 
2.3 пФ
3 пФ
0.04 пФ
0.04 пФ
0.04 пФ
 
 
 
 
 
 
<16 В
<16 В
<16 В
<5 В
<5 В
<5 В
<14 В
<14 В
<14 В
<30 мА
<30 мА
<30 мА
 
 
 
MOSFET
MOSFET
MOSFET
N-ch
N-ch
N-ch
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
3П328
3П328А-2
3.5 дБпри f = 8 ГГц
3.5 дБпри f = 8 ГГц
<50 мВт
<50 мВт
>28при Iс = 8 мА
>28при Iс = 8 мА
 
 
1 мкА
1 мкА
 
 
 
 
 
 
 
 
<6 В
<6 В
<4 В
<4 В
<6 В
<6 В
 
 
 
 
Schottky
Schottky
N-ch
N-ch
 
 
 
 
 
 
 
 
 
КП329
КП329А
КП329Б
 
<250 мВт
<250 мВт
<250 мВт
 
>3при Uси = 10 В
>1при Uси = 10 В
 
 
 
 
1 нАпри Uсз = 10В
100 пАпри Uсз = 30В
6 пФ
6 пФ
6 пФ
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<50 В
<40 В
 
<45 В
<35 В
 
<50 В
<40 В
 
 
 
 
 
 
JFET
JFET
JFET
N-ch
N-ch
N-ch
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
3П330
3П330А-2
3П330Б-2
▾
 
6 дБпри f = 25 ГГц
4.5 дБпри f = 25 ГГц
<30 мВт
<30 мВт
<30 мВт
>5при Iс = 10 мА
>5при Iс = 10 мА
>5при Iс = 10 мА
<50 Апри U = 2 В
<50 Апри U = 2 В
<50 Апри U = 2 В
1 мкА
1 мкА
1 мкА
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<6 В
<6 В
<6 В
<4 В
<4 В
<4 В
<3 В
<3 В
<3 В
 
 
 
 
 
 
Schottky
Schottky
Schottky
N-ch
N-ch
N-ch
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
3П331
3П331А-2
4.5 дБпри f = 10 ГГц
4.5 дБпри f = 10 ГГц
<200 мВт
<200 мВт
>15при Iс = 40 мА
>15при Iс = 40 мА
100 А ~ 150 Апри U = 3 В
100 А ~ 150 Апри U = 3 В
1 мкАпри Uсз = 2.5В
1 мкАпри Uсз = 2.5В
 
 
 
 
 
 
 
 
<8 В
<8 В
<4 В
<4 В
<5 В
<5 В
 
 
 
 
Schottky
Schottky
N-ch
N-ch
 
 
 
 
 
 
 
 
 
2П332
2П332А
 
<100 мВт
<100 мВт
4 ~ 6.5при Iс = 10 мА
4 ~ 6.5при Iс = 10 мА
 
 
50 нАпри Uсз = 15В
50 нАпри Uсз = 15В
15 пФ
15 пФ
3 пФ
3 пФ
 
 
 
 
<15 В
<15 В
<15 В
<15 В
<15 В
<15 В
<30 мА
<30 мА
 
 
 
 
P-ch
P-ch
 
 
 
 
 
 
 
 
 
2П333
2П333А
2П333Б
▾
 
<250 мВт
<250 мВт
<250 мВт
 
4 ~ 5.8при Uси = 10 В
2 ~ 5при Uси = 10 В
 
 
 
 
200 пАпри Uсз = 10В
100 нАпри Uсз = 35В
6 пФ
6 пФ
6 пФ
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<50 В
<40 В
 
<45 В
<35 В
 
<50 В
<40 В
 
 
 
 
 
 
JFET
JFET
JFET
N-ch
N-ch
N-ch
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
2П334
2П334А
2П334Б
 
5.5 дБпри f = 0.2 ГГц
<200 мВт
<200 мВт
<200 мВт
 
>4при Uси = 10 В
>6при Uси = 10 В
 
 
 
1 нАпри Uсз = 10В
1 нАпри Uсз = 10В
1 нАпри Uсз = 10В
6 пФ
6 пФ
6 пФ
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<30 В
<30 В
<30 В
<30 В
<25 В
<25 В
<25 В
 
 
 
 
 
 
 
 
 
N-ch
N-ch
N-ch
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
2П335
2П335А-2
2П335Б-2
 
4 дБпри f = 0.4 ГГц
6 дБпри f = 0.4 ГГц
<100 мВт
<100 мВт
<100 мВт
 
4 ~ 5.8при Iс = 15 мА
2 ~ 5.8
 
8 А ~ 25 Апри U = 15 В
1.5 А ~ 25 Апри U = 15 В
10 нАпри Uсз = 10В
10 нАпри Uсз = 10В
10 нАпри Uсз = 10В
 
 
 
1 пФ
1 пФ
1 пФ
 
 
 
 
 
 
<25 В
<25 В
<25 В
<25 В
<25 В
<25 В
<20 В
<20 В
<20 В
<25 мА
<25 мА
<25 мА
 
 
 
JFET
JFET
JFET
N-ch
N-ch
N-ch
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
2П336
2П336А-1
2П336Б-1
 
<60 мВт
<60 мВт
<60 мВт
4 ~ 23при Iс = 10 мА
4 ~ 23при Iс = 10 мА
4 ~ 23при Iс = 10 мА
 
 
 
1 нАпри Uсз = 10В
1 нАпри Uсз = 10В
1 нАпри Uсз = 10В
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<30 В
<30 В
<30 В
<30 В
<25 В
<25 В
<25 В
 
 
 
 
 
 
JFET
JFET
JFET
N-ch
N-ch
N-ch
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Доход от майнинга