2П333

2П333, 2П333А, 2П333Б, 2П333В, 2П333Г

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

Параметр		2П333А	2П333Б	2П333В	2П333Г
Коэффициент шума	N_F
Мощность	P	<250 мВт
Крутизна характеристики полевого транзистора	S1-S2/I	4 ~ 5.8при Uси = 10 В	2 ~ 5при Uси = 10 В	4 ~ 5.8при Uси = 10 В	2 ~ 5при Uси = 10 В
Ток утечки затвора при объединенных стоке и истоке	I_G	200 пАпри Uсз = 10В	100 нАпри Uсз = 35В	200 пАпри Uсз = 10В
Входная емкость полевого транзистора	C₁₁	6 пФ
Постоянное напряжение между затвором и стоком	U_GD	<50 В	<40 В	<50 В	<40 В
Постоянное напряжение между затвором и истоком	U_GS	<45 В	<35 В	<45 В	<35 В
Постоянное напряжение между стоком и истоком	U_DSS	<50 В	<40 В	<50 В	(не задано)
Технология изготовления полевого транзистора	Технология	JFET
Тип канала полевого транзистора	Канал	N-ch