Доход от майнинга

2П333А

2П333, 2П333А, 2П333Б, 2П333В, 2П333Г

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

Параметр2П333А2П333Б2П333В2П333Г
Коэффициент шума
NF
Мощность
P
<250 мВт
Крутизна характеристики полевого транзистора
S1-S2/I
4 ~ 5.8при Uси = 10 В2 ~ 5при Uси = 10 В4 ~ 5.8при Uси = 10 В2 ~ 5при Uси = 10 В
Ток утечки затвора при объединенных стоке и истоке
IG
200 пАпри Uсз = 10В100 нАпри Uсз = 35В200 пАпри Uсз = 10В
Входная емкость полевого транзистора
C11
6 пФ
Постоянное напряжение между затвором и стоком
UGD
<50 В<40 В<50 В<40 В
Постоянное напряжение между затвором и истоком
UGS
<45 В<35 В<45 В<35 В
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<50 В<40 В<50 В(не задано)
Технология изготовления полевого транзистора
Технология
JFET
Тип канала полевого транзистора
Канал
N-ch