КП327А
КП327, КП327А, КП327Б, КП327В, КП327Г
На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
Описание
Параметры
| Параметр | КП327А | КП327Б | КП327В | КП327Г | |
|---|---|---|---|---|---|
Коэффициент шума | NF | 3.9 дБпри f = 0.8 ГГц | 2.8 дБпри f = 0.2 ГГц | 4.5 дБпри f = 0.8 ГГц | 3 дБпри f = 0.2 ГГц |
Мощность | P | <200 мВт | |||
Крутизна характеристики полевого транзистора | S1-S2/I | >9.5при Iс = 10 мА | |||
Начальный ток стока полевого транзистора | I01-I02 | 500 мА ~ 17 Апри U = 10 В | 500 мА ~ 17 Апри U = 10 В | <17 Апри U = 10 В | <17 Апри U = 10 В |
Ток утечки затвора при объединенных стоке и истоке | IG | 50 нАпри Uсз = 5В | |||
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 2.3 пФ | 3 пФ | 2.5 пФ | 3.6 пФ |
Проходная емкость | C12 | 0.04 пФ | |||
Постоянное напряжение между затвором и стоком | UGD | <16 В | |||
Постоянное напряжение между затвором и истоком | UGS | <5 В | |||
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <14 В | |||
Постоянный ток стока | IDSS | <30 мА | |||
Технология изготовления полевого транзистора | Технология | MOSFET | |||
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | |||