Біполярні транзистори - Elcomps.com
Всього знайдено 18470 компонентів
ЗображенняІм'яICIC-iUCBOUCEOPCPC-ihFEUCE-satICB-RICE-rRfh21tCNFСтруктураUCBO-iPC-HSUCEO-iUBE-satCCCEIfrcМонтажКорпусВиробник
  
Від
До
Від
До
Від
До
Від
До
Від
До
Від
До
Від
До
Від
До
Від
До
Від
До
Від
До
Від
До
Від
До
Від
До
Від
До
Від
До
Від
До
Від
До
Від
До
Від
До
NSCT2907
NSCT2907ALT1G
NSCT2907ALT3G
<600 мА
<600 мА
<600 мА
 
 
 
 
 
 
<60 В
<60 В
<60 В
<225 мВт
<225 мВт
<225 мВт
 
 
 
>100Ic, Vce = 150mA, 10V
>100Ic, Vce = 150mA, 10V
>100Ic, Vce = 150mA, 10V
<400 мВIb, Ic = 15mA, 150mA
<400 мВIb, Ic = 15mA, 150mA
<400 мВIb, Ic = 15mA, 150mA
 
 
 
 
 
 
<200 МГц
<200 МГц
<200 МГц
 
 
 
 
 
 
PNP
PNP
PNP
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
NSCT3904
NSCT3904LT1G
NSCT3904LT3G
<200 мА
<200 мА
<200 мА
 
 
 
 
 
 
<40 В
<40 В
<40 В
<225 мВт
<225 мВт
<225 мВт
 
 
 
>100Ic, Vce = 10mA, 1V
>100Ic, Vce = 10mA, 1V
>100Ic, Vce = 10mA, 1V
<200 мВIb, Ic = 1mA, 10mA
<200 мВIb, Ic = 1mA, 10mA
<200 мВIb, Ic = 1mA, 10mA
 
 
 
 
 
 
<300 МГц
<300 МГц
<300 МГц
 
 
 
 
 
 
NPN
NPN
NPN
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
NSCT3906
NSCT3906LT1G
NSCT3906LT3G
<200 мА
<200 мА
<200 мА
 
 
 
 
 
 
<40 В
<40 В
<40 В
<225 мВт
<225 мВт
<225 мВт
 
 
 
>100Ic, Vce = 10mA, 1V
>100Ic, Vce = 10mA, 1V
>100Ic, Vce = 10mA, 1V
<250 мВIb, Ic = 1mA, 10mA
<250 мВIb, Ic = 1mA, 10mA
<250 мВIb, Ic = 1mA, 10mA
 
 
 
 
 
 
<250 МГц
<250 МГц
<250 МГц
 
 
 
 
 
 
PNP
PNP
PNP
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
NSCT817
NSCT817-25LT1G
NSCT817-25LT3G
▾
 
<500 мА
<500 мА
 
 
 
 
 
 
<45 В
<45 В
<45 В
<225 мВт
<225 мВт
<225 мВт
 
 
 
 
>160Ic, Vce = 100mA, 1V
>160Ic, Vce = 100mA, 1V
<700 мВIb, Ic = 50mA, 500mA
<700 мВIb, Ic = 50mA, 500mA
<700 мВIb, Ic = 50mA, 500mA
 
 
 
 
 
 
<100 МГц
<100 МГц
<100 МГц
 
 
 
 
 
 
NPN
NPN
NPN
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
NSL12
NSL12AWT1
NSL12AWT1G
<2 А
<2 А
<2 А
 
 
 
 
 
 
<12 В
<12 В
<12 В
 
<450 мВт
<1.4 Вт
 
 
 
>100Ic, Vce = 800mA, 1.5 V
>100Ic, Vce = 800mA, 1.5 V
>100Ic, Vce = 800mA, 1.5 V
 
<160 мВIb, Ic = 10mA, 500mA
<140 мВIb, Ic = 16mA, 800mA
 
 
 
 
 
 
<100 МГц
<100 МГц
<100 МГц
 
 
 
 
 
 
PNP
PNP
PNP
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<100 нА
<100 нА
<100 нА
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
NSS12100
NSS12100M3T5G
NSS12100UW3TCG
▾
<1 А
<1 А
<1 А
 
 
 
 
 
 
<12 В
<12 В
<12 В
 
<625 мВт
<740 мВт
 
 
 
 
>80Ic, Vce = 1A, 2V
>100Ic, Vce = 500mA, 2V
 
<410 мВIb, Ic = 100mA, 1A
<200 мВIb, Ic = 50mA, 500mA
 
 
 
 
 
 
 
 
<200 МГц
 
 
 
 
 
 
PNP
PNP
PNP
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
 
SOT-723
3-WDFN
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
NSS12200
NSS12200LT1G
NSS12200WT1G
<2 А
<2 А
<2 А
 
 
 
 
 
 
<12 В
<12 В
<12 В
 
<460 мВт
<650 мВт
 
 
 
 
>250Ic, Vce = 500mA, 2V
>100Ic, Vce = 800mA, 1.5 V
 
<120 мВIb, Ic = 10mA, 1A
<290 мВIb, Ic = 20mA, 1A
 
 
 
 
 
 
<100 МГц
<100 МГц
<100 МГц
 
 
 
 
 
 
PNP
PNP
PNP
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<100 нА
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
 
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
NSS12201
NSS12201LT1G
<2 А
<2 А
 
 
 
 
<12 В
<12 В
<460 мВт
<460 мВт
 
 
>200Ic, Vce = 500mA, 2V
>200Ic, Vce = 500mA, 2V
<90 мВIb, Ic = 200mA, 2A
<90 мВIb, Ic = 200mA, 2A
 
 
 
 
<150 МГц
<150 МГц
 
 
 
 
NPN
NPN
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
ON Semiconductor
ON Semiconductor
NSS12500
NSS12500UW3T2G
<5 А
<5 А
 
 
 
 
<12 В
<12 В
<1.5 Вт
<1.5 Вт
 
 
>250Ic, Vce = 1A, 2V
>250Ic, Vce = 1A, 2V
<260 мВIb, Ic = 400mA, 4A
<260 мВIb, Ic = 400mA, 4A
 
 
 
 
<100 МГц
<100 МГц
 
 
 
 
PNP
PNP
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
3-WDFN
3-WDFN
ON Semiconductor
ON Semiconductor
NSS12501
NSS12501UW3T2G
<5 А
<5 А
 
 
 
 
<12 В
<12 В
<875 мВт
<875 мВт
 
 
>200Ic, Vce = 1A, 2V
>200Ic, Vce = 1A, 2V
<120 мВIb, Ic = 400mA, 4A
<120 мВIb, Ic = 400mA, 4A
 
 
 
 
<150 МГц
<150 МГц
 
 
 
 
NPN
NPN
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
3-WDFN
3-WDFN
ON Semiconductor
ON Semiconductor