На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | NSS12100M3T5G | NSS12100UW3TCG | NSS12100XV6T1G | |
|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SOT-723 | 3-WDFN | SOT-563 |
Виробник | Виробник | ON Semiconductor | ||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | ||
Постійний струм колектора транзистора | IC | <1 А | ||
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера | UCEO | <12 В | ||
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора | PC | <625 мВт | <740 мВт | <650 мВт |
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора | hFE | >80Ic, Vce = 1A, 2V | >100Ic, Vce = 500mA, 2V | >90Ic, Vce = 1A, 2V |
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора | UCE-sat | <410 мВIb, Ic = 100mA, 1A | <200 мВIb, Ic = 50mA, 500mA | <440 мВIb, Ic = 100mA, 1A |
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора | fh21 | (не задано) | <200 МГц | (не задано) |
Структура біполярного транзистора | Структура | PNP | ||